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TV04A7V5JB-G

产品描述ESD Suppressors / TVS Diodes TVS, BI-DIRECTIONAL 400W 7.5V 5%
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小137KB,共7页
制造商Comchip Technology
官网地址http://www.comchiptech.com/
标准
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TV04A7V5JB-G在线购买

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TV04A7V5JB-G概述

ESD Suppressors / TVS Diodes TVS, BI-DIRECTIONAL 400W 7.5V 5%

TV04A7V5JB-G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Comchip Technology
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, UL RECOGNIZED
最大击穿电压9.21 V
最小击穿电压8.33 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AC
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散400 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散1 W
最大重复峰值反向电压7.5 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30

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SMD Transient Voltage Suppressor
TV04A5V0-G Thru. TV04A441-G
Working Peak Reverse Voltage: 5.0 to 440 Volts
Power Dissipation: 400 Watts
RoHS Device
Features
-Ideal for surface mount applications.
-Easy pick and place.
-Plastic package has Underwriters Lab.
flammability classification 94V-0.
-Typical IR less than 1μA above 10V.
-Fast response time: typically less than 1nS for
uni-direction, less than 5nS for bi-direction,
from 0V to BV min.
0.179(4.55)
0.162(4.10)
SMA/DO-214AC
0.064(1.63)
0.049(1.23)
0.109(2.76)
0.099(2.51)
0.206(5.22)
0.192(4.87)
0.012(0.30)
0.006(0.15)
Mechanical data
-Case: AMA/DO-214AC, molded plastic.
-Terminals: solderable per MIL-STD-750,
method 2026.
-Polarity: Color band denotes cathode end.
-Approx. weight: 0.064 grams
0.089(2.26)
0.077(1.96)
0.060(1.51)
0.030(0.75)
0.008(0.20) max
Dimensions in inches and (millimeter)
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
O
Characteristics
Peak power dissipation on 10/1000μS
waveform (Note1)
Peak pulse current on 10/1000μS
waveform (Note 1)
Steady state power dissipation at T
L
=75°C
Symbol
P
PPM
Value
400
Units
W
I
PPM
See Next Table
A
P
M(AV)
1.0
W
Peak forward surge current, 8.3mS single
half sine-wave unidirectional only (Note 2)
Maximum instantaneous forward voltage
at 25.0A for unidirectional only (Note 3)
Maximum operating junction temperature
Storage temperature range
Notes:
I
FSM
40
A
V
F
T
J
T
STG
3.5/5.0
-55 to +150
-55 to +150
V
°C
°C
1. Non-repetitive current pulse, per Fig. 5 and derated above T
A
=25°C, per Fig. 1.
2. Measured on 8.3mS single half sine-wave or equare wave,duty cycle=4 pulses per minute maximum.
3. VF<3.5V for devices of V
BR
<200V and V
F
<5.0V for devices of V
BR
>201V
REV:D
QW-BTV01
Page 1
Comchip Technology CO., LTD.
中国3G标准通过国家验收 关键技术得到验证
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