524288-WORD X 16-BIT/1048576-WORD X 8-BIT CMOS MASK PROGRAMMABLE ROM
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Hitachi （Renesas ） |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP42,.6 |
| 针数 | 42 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Is Samacsys | N |
| 最长访问时间 | 200 ns |
| 备用内存宽度 | 16 |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T42 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 52.8 mm |
| 内存密度 | 8388608 bi |
| 内存集成电路类型 | MASK ROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 42 |
| 字数 | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 1MX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP42,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大待机电流 | 0.00003 A |
| 最大压摆率 | 0.05 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 15.24 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| HN62408P | HN62408 | HN62408FP | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 524288-WORD X 16-BIT/1048576-WORD X 8-BIT CMOS MASK PROGRAMMABLE ROM | 524288-WORD X 16-BIT/1048576-WORD X 8-BIT CMOS MASK PROGRAMMABLE ROM | 524288-WORD X 16-BIT/1048576-WORD X 8-BIT CMOS MASK PROGRAMMABLE ROM |
| 是否无铅 | 含铅 | - | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 |
| 厂商名称 | Hitachi （Renesas ） | - | Hitachi （Renesas ） |
| 零件包装代码 | DIP | - | QFP |
| 包装说明 | DIP, DIP42,.6 | - | QFP, QFP44,.7SQ,32 |
| 针数 | 42 | - | 44 |
| Reach Compliance Code | unknow | - | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 |
| Is Samacsys | N | - | N |
| 最长访问时间 | 200 ns | - | 200 ns |
| 备用内存宽度 | 16 | - | 16 |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T42 | - | S-PQFP-G44 |
| JESD-609代码 | e0 | - | e0 |
| 长度 | 52.8 mm | - | 14 mm |
| 内存密度 | 8388608 bi | - | 8388608 bi |
| 内存集成电路类型 | MASK ROM | - | MASK ROM |
| 内存宽度 | 8 | - | 8 |
| 功能数量 | 1 | - | 1 |
| 端子数量 | 42 | - | 44 |
| 字数 | 1048576 words | - | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 | - | 1000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | - | 70 °C |
| 组织 | 1MX8 | - | 1MX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | - | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | - | QFP |
| 封装等效代码 | DIP42,.6 | - | QFP44,.7SQ,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | SQUARE |
| 封装形式 | IN-LINE | - | FLATPACK |
| 并行/串行 | PARALLEL | - | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V | - | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | - | 2.9 mm |
| 最大待机电流 | 0.00003 A | - | 0.00003 A |
| 最大压摆率 | 0.05 mA | - | 0.05 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | - | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | - | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | - | 5 V |
| 表面贴装 | NO | - | YES |
| 技术 | CMOS | - | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | - | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | - | GULL WING |
| 端子节距 | 2.54 mm | - | 0.8 mm |
| 端子位置 | DUAL | - | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 15.24 mm | - | 14 mm |
| Base Number Matches | 1 | - | 1 |
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