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NUP4106DR2G

产品描述ESD Suppressors / TVS Diodes LOW CAP SO8 TVS
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小138KB,共7页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
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NUP4106DR2G概述

ESD Suppressors / TVS Diodes LOW CAP SO8 TVS

NUP4106DR2G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-G8
针数8
制造商包装代码751-07
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
最小击穿电压5 V
击穿电压标称值5 V
最大钳位电压15 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散500 W
元件数量1
端子数量8
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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