电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N4619LEADFREE

产品描述Zener Diode, 3V V(Z), 5%, 0.25W, Silicon, Unidirectional, DO-35,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小340KB,共2页
制造商Central Semiconductor
标准
下载文档 详细参数 全文预览

1N4619LEADFREE概述

Zener Diode, 3V V(Z), 5%, 0.25W, Silicon, Unidirectional, DO-35,

1N4619LEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.25 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压3 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层MATTE TIN (315)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
最大电压容差5%
工作测试电流0.25 mA
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
1N4614 THRU 1N4627
SILICON ZENER DIODE
LOW NOISE
1.8 VOLT THRU 6.2 VOLT
250mW, 5% TOLERANCE
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 1N4614 series
silicon Zener diode is designed for low leakage, low
current, and low noise applications. Higher voltage
devices are available in the 1N4099 series.
MARKING: FULL PART NUMBER
DO-35 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
SYMBOL
PD
TJ, Tstg
250
-65 to +200
UNITS
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C) VF=1.0V MAX @ IF=200mA (for all types)
ZENER
VOLTAGE
VZ @ IZT
MIN
V
1N4614
1N4615
1N4616
1N4617
1N4618
1N4619
1N4620
1N4621
1N4622
1N4623
1N4624
1N4625
1N4626
1N4627
1.710
1.900
2.090
2.280
2.565
2.850
3.135
3.420
3.705
4.085
4.465
4.845
5.320
5.890
NOM
V
1.8
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
MAX
V
1.890
2.100
2.310
2.520
2.835
3.150
3.465
3.780
4.095
4.515
4.935
5.355
5.880
6.510
TEST
CURRENT
IZT
μA
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
MAXIMUM
ZENER
IMPEDANCE
ZZT @ IZT
Ω
1200
1250
1300
1400
1500
1600
1650
1700
1650
1600
1550
1500
1400
1200
MAXIMUM
REVERSE
CURRENT
IR
μA
7.5
5.0
4.0
2.0
1.0
0.8
7.5
7.5
5.0
4.0
10
10
10
10
@ VR
V
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.0
2.0
3.0
3.0
4.0
5.0
MAXIMUM
ZENER
CURRENT
IZM
mA
120
110
100
95
90
85
80
75
70
65
60
55
50
45
MAXIMUM
NOISE
DENSITY
ND @ 250μA
μV/ Hz
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
4.0
5.0
TYPE
R3 (1-May 2013)

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 601  763  2096  2066  1012  31  54  3  20  11 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved