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CMLT591E

产品描述PNP Low VCE(Sat) 1.0 Amp transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小88KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CMLT591E概述

PNP Low VCE(Sat) 1.0 Amp transistor

CMLT591E规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数6
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)15
JESD-30 代码R-PDSO-F6
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.25 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)150 MHz
Base Number Matches1

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CMLT591E
SURFACE MOUNT
PICOmini
TM
PNP SILICON TRANSISTOR
Central
TM
Semiconductor Corp.
CC
E
CC
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLT591E
type is a PNP Low VCE(Sat) 1.0 Amp transistor,
epoxy molded in a space saving PICOmini™
SOT-563 surface mount package and designed
for applications requiring a high current capability
and low saturation voltages.
MARKING CODE: L59
B
SOT-563 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Base Current
Collector Current (Peak)
Power Dissipation
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IB
ICM
PD
TJ,Tstg
Θ
JA
80
60
5.0
1.0
200
2.0
250
-65 to +150
500
UNITS
V
V
V
A
mA
A
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(ON)
hFE
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
TEST CONDITIONS
VCB=60V
VEB=4.0V
IC=100µA
IC=10mA
IE=100µA
IC=500mA, IB=50mA
IC=1.0A, IB=100mA
IC=1.0A, IB=100mA
VCE=5.0V, IC=1.0A
VCE=5.0V, IC=1.0mA
VCE=5.0V,
VCE=5.0V,
VCE=5.0V,
VCE=10V,
VCB=10V,
IC=500mA
IC=1.0A
IC=2.0A
IC=50mA, f=100MHz
IE=0, f=1.0MHz
MIN
MAX
100
100
80
60
5.0
0.20
0.40
1.1
1.0
200
200
50
15
150
10
600
UNITS
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
MHz
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