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JANTXV1N5645

产品描述1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小159KB,共6页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JANTXV1N5645概述

1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13

JANTXV1N5645规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
包装说明O-MALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大击穿电压36.3 V
最小击穿电压29.7 V
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-13
JESD-30 代码O-MALF-W2
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1 W
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/500
最大重复峰值反向电压26.8 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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