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JANTXV1N6150A

产品描述1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小425KB,共6页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JANTXV1N6150A概述

1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

JANTXV1N6150A规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
包装说明HERMETIC SEALED, GLASS, C PACKAGE-2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
最小击穿电压20.9 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散3 W
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500
最大重复峰值反向电压16.7 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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