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JANTXV2N3998: 产品描述5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小173KB，共4页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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JANTXV2N3998概述

5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR

JANTXV2N3998规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Microsemi
零件包装代码	TO-111
包装说明	TO-59, 3 PIN
针数	4
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	5 A
集电极-发射极最大电压	80 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	15
JEDEC-95代码	TO-59
JESD-30 代码	O-MUPM-X3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN
认证状态	Qualified
参考标准	MIL-19500/374
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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描述	5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-59, Metal, 3 Pin, TO-59, 3 PIN	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 4 Pin, TO-111, 4 PIN	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 4 Pin, TO-111, 4 PIN	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 4 Pin, TO-111, 4 PIN	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 4 Pin, TO-111, 4 PIN	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 4 Pin, TO-111, 4 PIN	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 4 Pin, TO-111, 4 PIN
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	TO-111	TO-111	TO-111	TO-111	TO-111	TO-111	TO-111	TO-111
包装说明	TO-59, 3 PIN	TO-59, 3 PIN	TO-111, 4 PIN	TO-111, 4 PIN	TO-111, 4 PIN	TO-111, 4 PIN	TO-111, 4 PIN	TO-111, 4 PIN
针数	4	4	4	4	4	4	4	4
Reach Compliance Code	unknow	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	5 A	5 A	5 A	5 A	5 A	5 A	5 A	5 A
集电极-发射极最大电压	80 V	80 V	80 V	80 V	80 V	80 V	80 V	80 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	15	20	15	20	20	15	20	15
JEDEC-95代码	TO-59	TO-59	TO-111	TO-111	TO-111	TO-111	TO-111	TO-111
JESD-30 代码	O-MUPM-X3	O-MUPM-X3	O-MUPM-X4	O-MUPM-X4	O-MUPM-X4	O-MUPM-X4	O-MUPM-X4	O-MUPM-X4
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	4	4	4	4	4	4
最高工作温度	200 °C	200 °C	200 °C	200 °C	200 °C	200 °C	200 °C	200 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
认证状态	Qualified	Not Qualified	Qualified	Qualified	Qualified	Not Qualified	Qualified	Not Qualified
参考标准	MIL-19500/374	MIL-19500/374	MIL-19500/374	MIL-19500/374	MIL-19500/374	MIL-19500/374	MIL-19500/374	MIL-19500/374
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
Objectid	-	1439168779	1439168752	1439168761	1439168758	1439168749	1439168692	1439168683

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