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HL6319G

产品描述AlGaInP Laser Diodes
产品类别光电子/LED    光电   
文件大小27KB,共6页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HL6319G概述

AlGaInP Laser Diodes

HL6319G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hitachi (Renesas )
包装说明LD/G2, 3 PIN
Reach Compliance Codeunknow
JESD-609代码e0
安装特点THROUGH HOLE MOUNT
最高工作温度50 °C
最低工作温度-10 °C
光电设备类型LASER DIODE
峰值波长635 nm
半导体材料InGaAsP
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

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HL6319/20G
AlGaInP Laser Diodes
Description
The HL6319/20G are 0.63
µm
band AlGaInP laser diodes with a multi-quantum well (MQW)
structure. They are suitable as light sources for laser levelers and optical equipment for measurement.
Application
Laser levelers
Measurement
Features
Visible light output: 635nm Typ (nearly equal to He-Ne gas laser)
Optical output power: 10 mW CW
Low operating current: 95 mA Max
Low operating voltage: 2.7 V Max
117

HL6319G相似产品对比

HL6319G HL6320G
描述 AlGaInP Laser Diodes AlGaInP Laser Diodes
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas )
包装说明 LD/G2, 3 PIN LD/G2, 3 PIN
Reach Compliance Code unknow unknow
JESD-609代码 e0 e0
安装特点 THROUGH HOLE MOUNT THROUGH HOLE MOUNT
最高工作温度 50 °C 50 °C
最低工作温度 -10 °C -10 °C
光电设备类型 LASER DIODE LASER DIODE
峰值波长 635 nm 635 nm
半导体材料 InGaAsP InGaAsP
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)

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