电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

K4360Y1EN1S

产品描述SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小272KB,共3页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
下载文档 详细参数 全文预览

K4360Y1EN1S概述

SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

硅, 桥式整流二极管

K4360Y1EN1S规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
包装说明R-XXMA-X
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
配置COMPLEX
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-XXMA-X
JESD-609代码e0
相数1
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 441  725  765  1156  1319 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved