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K4M56323LE-ER1H

产品描述2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA
产品类别存储    存储   
文件大小141KB,共12页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
标准
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K4M56323LE-ER1H概述

2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA

K4M56323LE-ER1H规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码BGA
包装说明LFBGA, BGA90,9X15,32
针数90
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)105 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B90
长度13 mm
内存密度268435456 bi
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度32
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量1
端子数量90
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度-25 °C
组织8MX32
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFBGA
封装等效代码BGA90,9X15,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8/2.5,2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度1.4 mm
自我刷新YES
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.0012 A
最大压摆率0.29 mA
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度11 mm
Base Number Matches1
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