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K4S643232E-TL55: 产品描述2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL; 产品类别存储存储; 文件大小70KB，共12页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K4S643232E-TL55概述

2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL

K4S643232E-TL55规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSSOP86,.46,20
针数	86
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	5 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	182 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G86
JESD-609代码	e0
长度	22.22 mm
内存密度	67108864 bi
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	32
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	86
字数	2097152 words
字数代码	2000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	2MX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSSOP86,.46,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	240
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.002 A
最大压摆率	0.19 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	10.16 mm

K4S643232E-TL55相似产品对比

	K4S643232E-TL55	K4S643232E-TL60	K4S643232E-TL50	K4S643232E-TL70	K4S643232E-TL45	K4S643232E-TC70	K4S643232E-TC55	K4S643232E-TC60	K4S643232E-TC50	K4S643232E-TC45
描述	2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL	2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL	2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL	2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL	2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL	2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL	2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL	2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL	2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL	2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSSOP86,.46,20	TSOP2, TSSOP86,.46,20	TSOP2, TSSOP86,.46,20	TSOP2, TSSOP86,.46,20	TSOP2, TSSOP86,.46,20	TSOP2, TSSOP86,.46,20	TSOP2, TSSOP86,.46,20	TSOP2, TSSOP86,.46,20	TSOP2, TSSOP86,.46,20	TSOP2, TSSOP86,.46,20
针数	86	86	86	86	86	86	86	86	86	86
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	5 ns	5.5 ns	4.5 ns	5.5 ns	4 ns	5.5 ns	5 ns	5.5 ns	4.5 ns	4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	182 MHz	166 MHz	200 MHz	143 MHz	222 MHz	143 MHz	182 MHz	166 MHz	200 MHz	222 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G86	R-PDSO-G86	R-PDSO-G86	R-PDSO-G86	R-PDSO-G86	R-PDSO-G86	R-PDSO-G86	R-PDSO-G86	R-PDSO-G86	R-PDSO-G86
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm
内存密度	67108864 bi	67108864 bi	67108864 bi	67108864 bi	67108864 bi	67108864 bi	67108864 bi	67108864 bi	67108864 bi	67108864 bi
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	32	32	32	32	32	32	32	32	32	32
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	86	86	86	86	86	86	86	86	86	86
字数	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words
字数代码	2000000	2000000	2000000	2000000	2000000	2000000	2000000	2000000	2000000	2000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	2MX32	2MX32	2MX32	2MX32	2MX32	2MX32	2MX32	2MX32	2MX32	2MX32
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2
封装等效代码	TSSOP86,.46,20	TSSOP86,.46,20	TSSOP86,.46,20	TSSOP86,.46,20	TSSOP86,.46,20	TSSOP86,.46,20	TSSOP86,.46,20	TSSOP86,.46,20	TSSOP86,.46,20	TSSOP86,.46,20
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	240	240	240	240	240	240	240	NOT SPECIFIED	240	240
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096	4096	4096	4096	4096	4096	4096
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A
最大压摆率	0.19 mA	0.185 mA	0.19 mA	0.17 mA	0.2 mA	0.17 mA	0.19 mA	0.185 mA	0.19 mA	0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30	30	30	NOT SPECIFIED	30	30
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm

K4S643232E-TL55

K4S643232E-TL55概述

K4S643232E-TL55规格参数

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