注文コード No.N 7 5 5 5
FW343
No.
N7555
D1003
新
FW343
特長
・½オン抵抗。
合タイプである。
・高密度実装が可½。
N チャネルおよび P チャネル MOS ½シリコン電界効果トランジスタ
モータドライブ用
・超高速スイッチング。
・4V 駆動の N チャネルおよび P チャネル MOS ½電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複
絶対最大定格
Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
ドレイン・½ース電圧
ゲート・½ース電圧
ドレイン電流（DC）
ドレイン電流（PW ≦ 10s）
ドレイン電流（PW ≦ 100ms）
ドレイン電流（PW ≦ 10µs）
許容損失
全損失
チャネル温度
保存周囲温度
VDSS
VGSS
ID
ID
ID
IDP
PD
PT
Tch
Tstg
duty cycle ≦ 1%
duty cycle ≦ 1%
duty cycle ≦ 1%
N-channel
30
± 20
5
5.5
7
20
P-channel
− 30
± 20
−4
− 4.5
− 6.5
− 16
1.8
2.2
unit
V
V
A
A
A
A
W
W
℃
℃
セラミック基板(2000mm
2
× 0.8mm)装着時 1unit, PW ≦ 10s
セラミック基板(2000mm
2
× 0.8mm)装着時 , PW ≦ 10s
150
− 55 ∼＋ 150
電気的特性
Electrical Characteristics / Ta=25℃
[N-channel]
ドレイン・½ース降伏電圧
ドレイン・½ースしゃ断電流
ゲート・½ースもれ電流
単½品名表示：W343
電気的接続図
8
7
6
5
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=1mA, VGS=0
VDS=30V, VGS=0
VGS= ± 16V, VDS=0
min
30
typ
max
1
± 10
unit
V
µA
µA
次ページへ続く。
外½図 2129
(unit : mm)
8
5
0.3
4.4
6.0
5.0
1.5
1
2
3
4
(Top view)
0.595
1.27
0.43
0.1
1.8max
1 : Source1
2 : Gate1
3 : Source2
4 : Gate2
5 : Drain2
6 : Drain2
7 : Drain1
8 : Drain1
1
4
0.2
1 : Source1
2 : Gate1
3 : Source2
4 : Gate2
5 : Drain2
6 : Drain2
7 : Drain1
8 : Drain1
SANYO : SOP8
本書記載の½品は、極めて高度の信頼性を要する用途
（生½維持装½、
航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）
に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動½条件範囲等) を瞬時たりとも越えて½用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑½郡大泉町坂田一丁目1番1号
D1003 TS IM ◎½藤 TA-100619 No.7555-1/5
FW343
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min
ゲート・½ースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
ドレイン・½ース間オン抵抗
入力容量
出力容量
帰還容量
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
下降時間
総ゲート電荷量
ゲート・½ース電荷量
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
[P-channel]
ドレイン・½ース降伏電圧
ドレイン・½ースしゃ断電流
ゲート・½ースもれ電流
ゲート・½ースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
ドレイン・½ース間オン抵抗
入力容量
出力容量
帰還容量
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
下降時間
総ゲート電荷量
ゲート・½ース電荷量
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
スイッチングタイム測定回路図
[N-channel]
VIN
10V
0V
VIN
ID=5A
RL=3Ω
VDD=15V
0V
--10V
VIN
VOUT
PW=10µs
D.C.≦1%
ID= --4A
RL=3.75Ω
typ
5.5
37
64
460
95
75
11
20
30
20
8.6
2.0
1.6
0.9
max
2.6
48
83
unit
V
S
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
VGS(off)
y
fs
RDS(on)1
RDS(on)2
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=5A
ID=5A, VGS=10V
ID=3A, VGS=4V
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
指定回路において
〃
〃
〃
VDS=10V, VGS=10V, ID=5A
IS=5A, VGS=0
1.2
3.9
1.2
max
−1
± 10
V
unit
V
µA
µA
V
S
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(off)
y
fs
RDS(on)1
RDS(on)2
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID= − 1mA, VGS=0
VDS= − 30V, VGS=0
VGS= ± 16V, VDS=0
VDS= − 10V, ID= − 1mA
VDS= − 10V, ID= − 4A
ID= − 4A, VGS= − 10V
ID= − 2A, VGS= − 4V
VDS= − 10V, f=1MHz
VDS= − 10V, f=1MHz
VDS= − 10V, f=1MHz
指定回路において
〃
〃
〃
min
− 30
typ
− 1.2
3.5
− 2.3
5
53
105
510
115
78
11
55
35
40
11
2.4
1.7
− 0.9
− 1.5
69
147
VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 4A
IS= − 4A, VGS=0
V
[P-channel]
VIN
VDD= --15V
D
PW=10µs
D.C.≦1%
D
VOUT
G
G
FW343
P.G
50Ω
FW343
P.G
50Ω
S
S
No.7555-2/5
FW343
5
ID -- VDS
10.0V
8.0V
6.0V
[Nch]
10
9
8
ID -- VGS
[Nch]
VDS=10V
4.0V
4
3.5
V
3.0
V
ドレイン電流, ID -- A
ドレイン電流, ID -- A
2.5V
7
6
5
4
3
2
1
3
2
1
VGS=2.0V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
IT04957
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
ドレイン・½ース電圧, VDS -- V
ドレイン・½ース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
200
ドレイン・½ース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
RDS(on) -- VGS
ゲート・½ース電圧, VGS -- V
100
Ta=7
5
°
C
--25
°
C
25
°
C
IT04958
[Nch]
Ta=25°C
RDS(on) -- Ta
[Nch]
80
150
ID=3A
100
I D=
60
=4V
, VGS
3A
5A
40
A, V G
I D=5
10V
S=
50
20
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
ゲート・½ース電圧, VGS -- V
10
7
5
IT04959
周囲温度, Ta --
°C
2
10
7
5
3
2
IT04960
y
fs -- ID
[Nch]
IF -- VSD
VDS=10V
[Nch]
VGS=0
順伝達アドミタンス,
y
fs -- S
3
2
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
0.001
2 3
°
C
25
順電流, IF -- A
1.0
7
5
C
5
°
--2
=
°
C
Ta
75
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
7
5
3
2
5 7
0.01
2 3
5 7
0.1
2 3
5 7
1.0
2 3
ドレイン電流, ID -- A
100
10
IT04961
5 7
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
IT04962
SW Time -- ID
[Nch]
スイッチングタイム, SW Time -- ns
7
VDD=15V
VGS=10V
Ciss, Coss, Crss -- pF
1000
7
5
3
2
Ciss, Coss, Crss -- VDS
ダイオード順電圧, VSD -- V
Ta=
75
°
C
25
°
C
--25
°
C
[Nch]
f=1MHz
Ciss
5
td (off)
3
100
7
5
3
2
Coss
2
tf
Crss
tr
10
0.1
2
3
5
7
1.0
2
td(on)
3
5
10
IT04963
7
10
0
5
10
15
20
25
30
IT04964
ドレイン電流, ID -- A
ドレイン・½ース電圧, VDS -- V
No.7555-3/5
FW343
10
VGS -- Qg
VDS=10V
ID=5A
[Nch]
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
ASO
IDP=20A
ID=5A
[Nch]
＜10µs
10
0
µ
s
1m
s
ゲート・½ース電圧, VGS -- V
8
ドレイン電流, ID -- A
6
DC
Operation in this
area is limited by RDS(on).
op
10
10
ms
0m
s
10
s
4
er
ati
on
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0.01
0.01
Ta=25°C
1パルス
セラミック基板(2000mm
2
×0.8mm)装着時 1unit
2 3
5 7 0.1
2 3
5 7 1.0
2 3
5 7 10
2 3
5
総ゲート電荷量, Qg -- nC
--4.0
IT04965
ID -- VDS
--10.0
--
V
--8.
0V
--6.0V
4.5V
ドレイン・½ース電圧, VDS -- V
--5
IT04966
[Pch]
.5
--3
V
ID -- VGS
[Pch]
VDS= --10V
--3.5
--4.
0V
--4
ドレイン電流, ID -- A
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
0
ドレイン電流, ID -- A
--3.0
--3
--3.0V
VGS= --2.5V
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4 --0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9 --1.0
IT04967
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
25
°
C
--3.0
--3.5
--1
Ta=
--
25
°
C
75
°
C
--2
--4.0
--4.5
--5.0
ドレイン・½ース電圧, VDS -- V
ドレイン・½ース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
300
ドレイン・½ース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
RDS(on) -- VGS
ゲート・½ース電圧, VGS -- V
200
IT04968
[Pch]
Ta=25°C
RDS(on) -- Ta
[Pch]
250
150
200
ID= --2A
150
--4A
100
--2A
I D=
--4V
S=
, VG
100
50
I D=
= --10V
, V GS
--4A
50
0
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
ゲート・½ース電圧, VGS -- V
10
7
IT04969
周囲温度, Ta --
°C
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
IT04970
y
fs -- ID
[Pch]
IF -- VSD
[Pch]
VGS=0
VDS=
--10V
順伝達アドミタンス,
y
fs -- S
5
3
2
1.0
7
5
3
2
5
--2
a=
°
C
T
75
順電流, IF -- A
°
C
25
°
C
--0.01
7
5
3
2
--0.001
2
3
5 7
--0.1
2
3
5 7
--1.0
2
3
--10
IT04971
5 7
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
IT04972
0.1
--0.01
ドレイン電流, ID -- A
ダイオード順電圧, VSD -- V
Ta=7
5
°
C
25
°
C
--25
°
C
--0.1
7
5
3
2
No.7555-4/5
FW343
3
SW Time -- ID
[Pch]
VDD= --15V
VGS= --10V
Ciss, Coss, Crss -- pF
1000
7
Ciss, Coss, Crss -- VDS
Ciss
[Pch]
f=1MHz
スイッチングタイム, SW Time -- ns
2
5
100
7
5
3
2
td(off)
3
2
tf
100
7
5
Coss
Crss
tr
10
--0.1
2
3
5
7
--1.0
td(on)
2
3
5
--10
IT04973
7
3
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
IT04974
ドレイン電流, ID -- A
--10
VGS -- Qg
ドレイン・½ース電圧, VDS -- V
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
[Pch]
ASO
[Pch]
ゲート・½ース電圧, VGS -- V
VDS= --10V
ID= --4A
--8
IDP= --16A
ID= --4A
10
＜10µs
ドレイン電流, ID -- A
10
D
C
--6
m
1
s
m
s
0m
s
10
0
µ
s
--4
Operation in this
area is limited by RDS(on).
10
s
op
er
at
io
n
--2
0
0
2
4
6
8
10
12
IT04975
総ゲート電荷量, Qg -- nC
PD -- Ta
[Nch, Pch共通]
--0.01
--0.01 2 3
Ta=25°C
1パルス
セラミック基板(2000mm
2
×0.8mm)装着時 1unit
5 7--0.1
2 3
5 7--1.0
2 3
5 7 --10
2 3
5
ドレイン・½ース電圧, VDS -- V
IT04976
2.5
2.2
2.0
許容損失, PD -- W
1.8
1.5
全
損
失
1u
nit
1.0
0.5
0
0
セラミック基板(2000mm
2
×0.8mm)装着時
PW≦10s
20
40
60
80
100
120
140
160
周囲温度, Ta --
°C
IT04977
本書記載の½品は、定められた条件下において、記載部品単½の性½・特性・機½などを規定するものであ
り、お客様の½品（機器）での性½・特性・機½などを保証するものではありません。部品単½の評価では
予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の½品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。
弊社は、高品質・高信頼性の½品を供給することに努めております。しかし、半導½½品はある確率で故障
が生じてしまいます。この故障が原因となり、人½にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与
えてしまう事故などを引き起こす可½性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、
保護回路・誤動½防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。
本書記載の½品が、外½為替及び外½貿易法に定める規制貨物（½務を含む）に該½する場合、輸出する
際に同法に基づく輸出許可が必要です。
弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複½することを禁止します。
本書に記載された内容は、½品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した
がって、ご½用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。
この資料の情報（掲載回路および回路定数を含む）は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す
るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その½用
にあたって第３者の工業所有権その他の権利の実½に対する保証を行うものではありません。
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