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K6F2016V4E-EF55

产品描述128K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
产品类别存储    存储   
文件大小106KB,共9页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K6F2016V4E-EF55概述

128K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM

K6F2016V4E-EF55规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明VFBGA, BGA48,6X8,30
Reach Compliance Codeunknow
最长访问时间55 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B48
JESD-609代码e0
长度7 mm
内存密度2097152 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量48
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFBGA
封装等效代码BGA48,6X8,30
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1 mm
最大待机电流0.000002 A
最小待机电流1.5 V
最大压摆率0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度6 mm
Base Number Matches1

K6F2016V4E-EF55相似产品对比

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描述 128K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM 128K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM 128K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM 128K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM

 
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