128K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | VFBGA, BGA48,6X8,30 |
Reach Compliance Code | unknow |
最长访问时间 | 55 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B48 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 7 mm |
内存密度 | 2097152 bi |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 16 |
湿度敏感等级 | 3 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 48 |
字数 | 131072 words |
字数代码 | 128000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 128KX16 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | VFBGA |
封装等效代码 | BGA48,6X8,30 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1 mm |
最大待机电流 | 0.000002 A |
最小待机电流 | 1.5 V |
最大压摆率 | 0.04 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.75 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
宽度 | 6 mm |
Base Number Matches | 1 |
K6F2016V4E-EF55 | K6F2016V4E-F | K6F2016V4E-EF70 | K6F2016V4E | |
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描述 | 128K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM | 128K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM | 128K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM | 128K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
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