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K6R4004V1D-KI08

产品描述512K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO36
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文件大小143KB,共12页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
标准
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K6R4004V1D-KI08概述

512K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO36

512K × 8 标准存储器, 10 ns, PDSO36

K6R4004V1D-KI08规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
包装说明SOJ, SOJ32,.44
Reach Compliance Codeunknow
最长访问时间8 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J32
JESD-609代码e1
长度20.95 mm
内存密度4194304 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量32
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ32,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.76 mm
最大待机电流0.005 A
最小待机电流3 V
最大压摆率0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度10.16 mm
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