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K6R4016C1D-EP8: 产品描述512K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO36; 产品类别存储; 文件大小143KB，共12页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K6R4016C1D-EP8概述

512K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO36

512K × 8 标准存储器, 10 ns, PDSO36

晶体振荡器的原理与操作：第3部分——晶体振荡器–技术规范解读(1): [i=s] 本帖最后由 dontium 于 2015-1-23 11:34 编辑 [/i]在本系列文章的上一部分里，我们具体探讨了晶体[b]振荡器[/b]的工作情况。现在我们将讨论内容延伸到与[b]晶体振荡器[/b]有关的各种参数及其对最终系统设计的影响。[color=black][backcolor=rgb(255,255,255)][b]晶体牵引范围：[/b]串联共振频率和抗共振频率由非常小的...; sharley 模拟与混合信号

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