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K6T0808C1D-RF70

产品描述32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
产品类别存储    存储   
文件大小112KB,共9页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K6T0808C1D-RF70概述

32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

K6T0808C1D-RF70规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TSOP
包装说明TSOP1-R, TSSOP28,.53,22
针数28
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最长访问时间70 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G28
JESD-609代码e0
长度11.8 mm
内存密度262144 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1-R
封装等效代码TSSOP28,.53,22
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
反向引出线YES
座面最大高度1.2 mm
最小待机电流2 V
最大压摆率0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.55 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度8 mm
Base Number Matches1
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