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K9F5608R0D-JIB0

产品描述IC,EEPROM,NAND FLASH,32MX8,CMOS,TSSOP,48PIN,PLASTIC
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文件大小756KB,共35页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
标准
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K9F5608R0D-JIB0概述

IC,EEPROM,NAND FLASH,32MX8,CMOS,TSSOP,48PIN,PLASTIC

IC,电可擦除只读存储器,与非门 FLASH,32MX8,CMOS,TSSOP,48PIN,塑料

K9F5608R0D-JIB0规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
包装说明FBGA, BGA63,10X12,32
Reach Compliance Codeunknow
最长访问时间35 ns
命令用户界面YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PBGA-B63
JESD-609代码e3
内存密度268435456 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
湿度敏感等级1
部门数/规模2K
端子数量63
字数33554432 words
字数代码32000000
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA63,10X12,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
页面大小512 words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
部门规模16K
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.02 mA
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位NO
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