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BZX84C12LT1

产品描述2.4 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小181KB,共20页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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BZX84C12LT1概述

2.4 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB

BZX84C12LT1规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
零件包装代码SOT-23
包装说明R-PDSO-G3
针数3
制造商包装代码CASE 318-07
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗25 Ω
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.225 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压12 V
最大反向电流0.1 µA
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
电压温度Coeff-Max10 mV/°C
最大电压容差5.394%
工作测试电流5 mA

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MOTOROLA
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
225 mW SOT-23
Zener Voltage Regulator Diodes
GENERAL DATA APPLICABLE TO ALL SERIES IN
THIS GROUP
GENERAL
DATA
225 mW
SOT-23
Zener Voltage
Regulator Diodes
Manufacturing Locations:
WAFER FAB:
Phoenix, Arizona
ASSEMBLY:
Seremban, Malaysia
TEST:
Seremban, Malaysia
MAXIMUM CASE TEMPERATURE FOR SOLDERING
PURPOSES:
260°C for 10 seconds
1
2
3
Cathode
1
Anode
3
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Total Device Dissipation FR-5 Board,*
TA = 25°C
Derate above 25°C
Thermal Resistance Junction to Ambient
Total Device Dissipation
Alumina Substrate,** TA = 25°C
Derate above 25°C
Thermal Resistance Junction to Ambient
Junction and Storage Temeprature
**FR-5
= 1.0 x 0.75 x 0.62 in.
**Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.
Symbol
PD
Max
225
1.8
Unit
mW
mW/°C
°C/W
mW
mW/°C
°C/W
°C
CASE 318-07, STYLE 8
SOT-23 (TO-236AB)
PLASTIC
R
θJA
PD
556
300
2.4
R
θJA
TJ, Tstg
417
150
Motorola TVS/Zener Device Data
225 mW SOT-23 Data Sheet
7-139

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