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KM6264BLG-12

产品描述8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
产品类别存储    存储   
文件大小74KB,共10页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM6264BLG-12概述

8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

KM6264BLG-12规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP28,.5
针数28
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最长访问时间120 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G28
JESD-609代码e0
长度18.29 mm
内存密度65536 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP28,.5
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3 mm
最大待机电流0.00005 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度8.38 mm
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