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KM684000BLG-7L

产品描述512Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
产品类别存储    存储   
文件大小112KB,共9页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM684000BLG-7L概述

512Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

KM684000BLG-7L规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP32,.56
针数32
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间70 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e0
长度20.47 mm
内存密度4194304 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP32,.56
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3 mm
最大待机电流0.000015 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度11.43 mm
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