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KMM5361205C2WG

产品描述1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh
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文件大小177KB,共17页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KMM5361205C2WG概述

1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh

KMM5361205C2WG规格参数

参数名称属性值
零件包装代码SIMM
包装说明,
针数72
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码R-XSMA-N72
内存密度37748736 bi
内存集成电路类型EDO DRAM MODULE
内存宽度36
功能数量1
端口数量1
端子数量72
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX36
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

KMM5361205C2WG相似产品对比

KMM5361205C2WG KMM5361205C2W
描述 1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh 1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh
零件包装代码 SIMM SIMM
针数 72 72
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 60 ns 60 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码 R-XSMA-N72 R-XSMA-N72
内存密度 37748736 bi 37748736 bi
内存集成电路类型 EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE
内存宽度 36 36
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 72 72
字数 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 1MX36 1MX36
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 SINGLE SINGLE

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