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KRC241M

产品描述EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小722KB,共5页
制造商KEC
官网地址http://www.keccorp.com/
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KRC241M概述

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)

KRC241M规格参数

参数名称属性值
厂商名称KEC
零件包装代码TO-92M
包装说明CYLINDRICAL, R-PBCY-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)0.8 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)33
JESD-30 代码R-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz

KRC241M相似产品对比

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描述 EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)
厂商名称 KEC KEC KEC KEC KEC KEC
零件包装代码 TO-92M TO-92M TO-92M TO-92M TO-92M TO-92M
包装说明 CYLINDRICAL, R-PBCY-T3 CYLINDRICAL, R-PBCY-T3 CYLINDRICAL, R-PBCY-T3 CYLINDRICAL, R-PBCY-T3 CYLINDRICAL, R-PBCY-T3 CYLINDRICAL, R-PBCY-T3
针数 3 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code unknow unknown unknown unknow unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.55 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC) 0.8 A 0.8 A 0.8 A 0.8 A 0.8 A 0.8 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 33 56 56 39 56 47
JESD-30 代码 R-PBCY-T3 R-PBCY-T3 R-PBCY-T3 R-PBCY-T3 R-PBCY-T3 R-PBCY-T3
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz
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