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KRC657E

产品描述EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小84KB,共4页
制造商KEC
官网地址http://www.keccorp.com/
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KRC657E概述

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)

KRC657E规格参数

参数名称属性值
厂商名称KEC
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数5
Reach Compliance Codeunknown
其他特性BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
最大集电极电流 (IC)0.1 A
配置COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)80
JESD-30 代码R-PDSO-F5
元件数量2
端子数量5
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
Base Number Matches1

KRC657E相似产品对比

KRC657E KRC659E KRC658E
描述 EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)
厂商名称 KEC KEC KEC
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数 5 5 5
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
其他特性 BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7 BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.468 BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.136
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A
配置 COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 80 70 80
JESD-30 代码 R-PDSO-F5 R-PDSO-F5 R-PDSO-F5
元件数量 2 2 2
端子数量 5 5 5
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 200 MHz 200 MHz
Base Number Matches 1 1 1
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