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MC146823S

产品描述High-Density High-Performance Silicon-Gate(PARALLEL INTERFACE)
产品类别嵌入式处理器和控制器    微控制器和处理器   
文件大小2MB,共16页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MC146823S概述

High-Density High-Performance Silicon-Gate(PARALLEL INTERFACE)

MC146823S规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Motorola ( NXP )
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP40,.6
针数40
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性OPERATES AT 3V MIN SUPPLY
最大时钟频率1 MHz
外部数据总线宽度8
JESD-30 代码R-CDIP-T40
JESD-609代码e0
长度52.275 mm
I/O 线路数量24
端口数量3
端子数量40
最高工作温度70 °C
最低工作温度
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP40,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.84 mm
最大压摆率3 mA
最大供电电压5.5 V
最小供电电压4.5 V
标称供电电压5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15.24 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型PARALLEL IO PORT, GENERAL PURPOSE

MC146823S相似产品对比

MC146823S MC146823 MC146823L MC146823P MC146823Z
描述 High-Density High-Performance Silicon-Gate(PARALLEL INTERFACE) High-Density High-Performance Silicon-Gate(PARALLEL INTERFACE) High-Density High-Performance Silicon-Gate(PARALLEL INTERFACE) High-Density High-Performance Silicon-Gate(PARALLEL INTERFACE) High-Density High-Performance Silicon-Gate(PARALLEL INTERFACE)
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Motorola ( NXP ) - Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP )
零件包装代码 DIP - DIP - QFN
包装说明 DIP, DIP40,.6 - DIP, DIP40,.6 DIP, QCCN, LCC40,.5SQ,40
针数 40 - 40 - 40
Reach Compliance Code unknow - unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 OPERATES AT 3V MIN SUPPLY - OPERATES AT 3V MIN SUPPLY OPERATES AT 3V MIN SUPPLY OPERATES AT 3V MIN SUPPLY
最大时钟频率 1 MHz - 1 MHz 1 MHz 1 MHz
外部数据总线宽度 8 - 8 8 8
JESD-30 代码 R-CDIP-T40 - R-CDIP-T40 R-PDIP-T40 S-CQCC-N40
JESD-609代码 e0 - e0 e0 e0
长度 52.275 mm - 50.8 mm 52.07 mm 12.19 mm
I/O 线路数量 24 - 24 24 24
端口数量 3 - 3 3 3
端子数量 40 - 40 40 40
最高工作温度 70 °C - 70 °C 70 °C 70 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED - CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED PLASTIC/EPOXY CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DIP - DIP DIP QCCN
封装等效代码 DIP40,.6 - DIP40,.6 - LCC40,.5SQ,40
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE
封装形式 IN-LINE - IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.84 mm - 4.32 mm 5.08 mm 2.08 mm
最大压摆率 3 mA - 3 mA 3 mA 3 mA
最大供电电压 5.5 V - 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 4.5 V - 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 5 V - 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO - NO NO YES
技术 CMOS - CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL - COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE NO LEAD
端子节距 2.54 mm - 2.54 mm 2.54 mm 1.02 mm
端子位置 DUAL - DUAL DUAL QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 15.24 mm - 15.24 mm 15.24 mm 12.19 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型 PARALLEL IO PORT, GENERAL PURPOSE - PARALLEL IO PORT, GENERAL PURPOSE PARALLEL IO PORT, GENERAL PURPOSE PARALLEL IO PORT, GENERAL PURPOSE

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