EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE)
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | KEC |
包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 5 A |
集电极-发射极最大电压 | 100 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 20 |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
极性/信道类型 | NPN |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 30 MHz |
Base Number Matches | 1 |
KTC2022L | KTC2022D | |
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描述 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE) | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE) |
厂商名称 | KEC | KEC |
包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | DPAK-3 |
针数 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown | unknow |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 5 A | 5 A |
集电极-发射极最大电压 | 100 V | 100 V |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 20 | 20 |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 | R-PSSO-G2 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 2 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | NPN | NPN |
表面贴装 | NO | YES |
端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 30 MHz | 30 MHz |
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