电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SI7230DN-T1-E3

产品描述MOSFET 30V 14A 1.5W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小550KB,共12页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

SI7230DN-T1-E3在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
SI7230DN-T1-E3 - - 点击查看 点击购买

SI7230DN-T1-E3概述

MOSFET 30V 14A 1.5W

SI7230DN-T1-E3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明SMALL OUTLINE, S-XDSO-C5
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)9.8 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)9 A
最大漏极电流 (ID)9 A
最大漏源导通电阻0.012 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码S-XDSO-C5
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)40 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

文档预览

下载PDF文档
Si7230DN
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
30
R
DS(on)
(Ω)
0.012 at V
GS
= 10 V
0.016 at V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
14
12
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Available
• TrenchFET
®
Power MOSFET
• PWM Optimized
• 100 % R
g
Tested
PowerPAK 1212-8
APPLICATIONS
• DC/DC Converters
- Secondary Synchronous Rectifier
- High-Side MOSFET in Synchronous Buck
D
G
4
3.30 mm
S
1
2
3
S
S
3.30 mm
D
8
7
6
5
D
D
D
G
Bottom View
S
Ordering Information:
Si7230DN-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si7230DN-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Single Pulse Avalanche Current
Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak Temperature)
b, c
L = 0.1 mH
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
stg
3.7
2.3
- 55 to 150
260
3.2
14
9.8
1.5
1.0
mJ
W
°C
14
11
40
1.3
10 s
30
± 20
9
7.5
A
Steady State
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Maximum Junction-to-Case (Drain)
t
10 s
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJC
Typical
28
66
2.0
Maximum
34
81
2.4
°C/W
Unit
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK 1212-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and
is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.
Document Number: 74396
S-83052-Rev. B, 29-Dec-08
www.vishay.com
1

SI7230DN-T1-E3相似产品对比

SI7230DN-T1-E3 SI7230DN-T1-GE3
描述 MOSFET 30V 14A 1.5W MOSFET 30V 14A 3.7W 12mohm @ 10V
是否无铅 不含铅 不含铅
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
包装说明 SMALL OUTLINE, S-XDSO-C5 SMALL OUTLINE, S-XDSO-C5
针数 8 8
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 9.8 mJ 9.8 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 9 A 9 A
最大漏极电流 (ID) 9 A 9 A
最大漏源导通电阻 0.012 Ω 0.012 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 S-XDSO-C5 S-XDSO-C5
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 5 5
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 SQUARE SQUARE
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 1.5 W 3.7 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 40 A 40 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 C BEND C BEND
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
CHL8112B 芯片已经停产,跪求各位大神有没有详细的手册,现在能找到的只有两页的版本
CHL8112B 芯片已经停产,跪求各位大神有没有详细的手册,现在能找到的只有两页的版本 ...
DANDAN- 开关电源学习小组
【问TI】关于GPIO的端口使能问题?
对于IO的使能,TI是全部对某个口使能,比如GPIOE口,而这个口里面有好多IO口,而现实中我们可能只用到了GPIOE中的某一个引脚,其他不用。这样是不是有点浪费? 还有你开的资源越多,对你的功 ......
fxw451 微控制器 MCU
添加了RIP路由协议组建 为什么开启后只有任务运行
我在内核中添加了RIP路由协议组建后,通过两个调试板进行测试,开启时riptask和riptimertask都在运行,但没有最开始的请求包,也没有周期响应包,请问哪位大神已经运行过RIP路由协议,需要配置 ......
mengyanlong111 嵌入式系统
EEWORLD大学堂----数据转换器介绍
数据转换器介绍:https://training.eeworld.com.cn/course/4425...
hi5 聊聊、笑笑、闹闹
晒WEBENCH设计的过程+纽扣电池供电电源
晒WEBENCH设计的过程+纽扣电池供电电源 在做BLE应用中,我们一般采用纽扣电池为其供电,可是经过一段时间的使用,电池供电会慢慢的下降,为了使电源能稳定在3。3V 我们做个1。8~3。3V转换成 ......
蓝雨夜 模拟与混合信号
有知道7-zip如何使用的吗!想压缩二进制文件,烧到flash里!有好方法吗?
想把做的东西,压缩下,烧到FLASH里,因为脱平台,没用任何操作系统内核,所以想找个压缩算法,有好方法吗? 自己找到了lzma,但是却没弄明白怎么用!让人郁闷啊,哪位高人帮帮忙啊!...
neesam 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 463  648  300  2813  53  36  38  46  5  26 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved