MOSFET N-Chan 500V 11 Amp
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| Is Samacsys | N |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas） | 275 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 11 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 11 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.52 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 170 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 44 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| IRFS11N50ATRL | IRFR9310TRRPBF | IRFS11N50ATRRP | |
|---|---|---|---|
| 描述 | MOSFET N-Chan 500V 11 Amp | MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp | MOSFET N-Chan 500V 11 Amp |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 | 符合 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3 | , |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 11 A | 1.8 A | 11 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | P-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 170 W | 50 W | 170 W |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 针数 | 3 | 3 | - |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED | AVALANCHE RATED | - |
| 雪崩能效等级（Eas） | 275 mJ | 92 mJ | - |
| 外壳连接 | DRAIN | DRAIN | - |
| 最小漏源击穿电压 | 500 V | 400 V | - |
| 最大漏极电流 (ID) | 11 A | 1.8 A | - |
| 最大漏源导通电阻 | 0.52 Ω | 7 Ω | - |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 | - |
| JESD-609代码 | e0 | e3 | - |
| 元件数量 | 1 | 1 | - |
| 端子数量 | 2 | 2 | - |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | 260 | - |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 44 A | 7.2 A | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 端子面层 | TIN LEAD | Matte Tin (Sn) | - |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | - |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | 30 | - |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | - |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | - |
| Base Number Matches | 1 | - | 1 |
| 厂商名称 | - | Vishay(威世) | Vishay(威世) |
| ECCN代码 | - | EAR99 | EAR99 |
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