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1N4151W-V-GS08

产品描述Diodes - General Purpose, Power, Switching Vr/75V Io/150mA
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小89KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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1N4151W-V-GS08概述

Diodes - General Purpose, Power, Switching Vr/75V Io/150mA

1N4151W-V-GS08规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称Vishay(威世)
包装说明R-PDSO-G2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码R-PDSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流0.5 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最大输出电流0.15 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
最大功率耗散0.41 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压75 V
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
Base Number Matches1

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1N4151W
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Small Signal Fast Switching Diode
FEATURES
• Silicon epitaxial planar diode
• Fast switching diode
• AEC-Q101 qualified
• Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial
grade
• Base P/N-HE3 - RoHS-compliant, AEC-Q101
qualified
MECHANICAL DATA
Case:
SOD-123
Weight:
approx. 10.3 mg
Packaging codes/options:
18/10K per 13" reel (8 mm tape), 10K/box
08/3K per 7" reel (8 mm tape), 15K/box
• Material categorization: For definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
PARTS TABLE
PART
1N4151W
ORDERING CODE
1N4151W-E3-08 or 1N4151W-E3-18
1N4151W-HE3-08 or 1N4151W-HE3-18
INTERNAL CONSTRUCTION
Single diode
TYPE MARKING
A5
REMARKS
Tape and reel
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Reverse voltage
Repetitive peak reverse voltage
Average rectified current half wave
rectification with resistive load
(1)
Surge current
Power dissipation
(1)
TEST CONDITION
SYMBOL
V
R
V
RRM
VALUE
50
75
150
500
410
UNIT
V
V
mA
mA
mW
f
50 Hz
t < 1 s and T
j
= 25 °C
I
F(AV)
I
FSM
P
tot
THERMAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Thermal resistance junction to ambient air
Junction temperature
Storage temperature range
Operating temperature range
Note
(1)
Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature.
(1)
TEST CONDITION
SYMBOL
R
thJA
T
j
T
stg
T
op
VALUE
450
150
- 65 to + 150
- 55 to + 150
UNIT
K/W
°C
°C
°C
Rev. 1.4, 08-May-13
Document Number: 85721
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000

1N4151W-V-GS08相似产品对比

1N4151W-V-GS08 GUS-TS0A-02-1963-FG
描述 Diodes - General Purpose, Power, Switching Vr/75V Io/150mA Array/Network Resistor, Isolated, Tantalum Nitride/nickel Chrome, 0.1W, 196000ohm, 100V, 1% +/-Tol, -50,50ppm/Cel, 2617,
Reach Compliance Code unknown compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
JESD-609代码 e3 e0
端子数量 2 20
最高工作温度 150 °C 125 °C
封装形式 SMALL OUTLINE SMT
端子面层 Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb)
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