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5962-9309104HYC

产品描述EEPROM Module, 512KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP32, DUAL CAVITY, SIDE BRAZED, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-32
产品类别存储    存储   
文件大小351KB,共12页
制造商White Electronic Designs Corporation
官网地址http://www.wedc.com/
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5962-9309104HYC概述

EEPROM Module, 512KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP32, DUAL CAVITY, SIDE BRAZED, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-32

5962-9309104HYC规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明DUAL CAVITY, SIDE BRAZED, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-32
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间200 ns
其他特性AUTOMATIC WRITE
命令用户界面NO
数据轮询YES
JESD-30 代码R-CDIP-T32
JESD-609代码e4
长度42.4 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型EEPROM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织512KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP32,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
页面大小128 words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-PRF-38534 Class H
座面最大高度6.98 mm
最大待机电流0.01 A
最大压摆率0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层GOLD
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位NO
宽度15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
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