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30PFB60

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小245KB,共1页
制造商Nihon Inter Electronics Corporation
官网地址http://www.niec.co.jp
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30PFB60概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon,

30PFB60规格参数

参数名称属性值
包装说明O-XALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-XALF-W2
最大非重复峰值正向电流45 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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3A Avg.
■最大定格
Item
く り 返 し ピ ー ク 逆 電 圧
Repetitive Peak Reverse Voltage
Average Rectified Forward Current
R.M.S. Forward Current
Surge Forward Current
動 ½ 接 合 温 度 範 囲
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
600 Volts
Symbol
V
RRM
I
O
I
F(RMS)
I
FSM
T
jw
T
stg
45A
50Hz、正弦半波通電抵抗負荷
50Hz Half Sine Wave Resistive Load
FRED
Conditions
600
Ta=29℃
Tl=109℃
Tl=Lead Temperature
30PFB60
■OUTLINE DRAWING(mm)
Unit
V
1.2
3.0
A
A
A
A
Maximum Ratings
4.71
50Hz正弦半波,1サイクル,非くり返し
50Hz Half Sine Wave,1cycle, Non-repetitive
−40∼+150
−40∼+150
■電気的・熱的特性
Item
Peak Reverse Current
Peak Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Thermal Resistance
Electrical/ Thermal Characteristics
Symbol
I
RM
V
FM
tr r
R
th(j-a)
R
th(j-l)
Conditions
T
j
=25℃, V
RM
=V
RRM
T
j
=25℃, I
FM
=3A
I
FM
=3A, −di/dt=50 A/μs, T
j
=25℃
接合部・周囲間
Junction to Ambient
接合部½リード間
Junction to Lead
■APPROX. NET WEIGHT:1.21g
Min.
Typ.
Max.
20
1.7
35
80
8
Unit
μA
V
ns
℃/W
℃/W
単½フイン無し
*単½フイン無し / Without Fin or P.C. Board
■定格・特性曲線
FIG.1
FIG.2
FIG.3
FIG.4
FIG.5
FIG.6
47

30PFB60相似产品对比

30PFB60
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon,
包装说明 O-XALF-W2
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
应用 GENERAL PURPOSE
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 O-XALF-W2
最大非重复峰值正向电流 45 A
元件数量 1
相数 1
端子数量 2
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -40 °C
最大输出电流 3 A
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 ROUND
封装形式 LONG FORM
认证状态 Not Qualified
最大重复峰值反向电压 600 V
表面贴装 NO
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