TPS1120 Dual P-channel Enhancemenent-Mode MOSFET
TPS1120 | TPS1120DRG4 | TPS1120DR | |
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描述 | TPS1120 Dual P-channel Enhancemenent-Mode MOSFET | MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET | 漏源电压(Vdss):15V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.17A 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:180mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):840mW 类型:双P沟道 P沟道,-15V,-1.17A,180mΩ@-10V |
是否无铅 | - | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | - | 符合 | 符合 |
零件包装代码 | - | SOIC | SOIC |
包装说明 | - | GREEN, SOIC-8 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
针数 | - | 8 | 8 |
Reach Compliance Code | - | unknown | compliant |
ECCN代码 | - | EAR99 | EAR99 |
其他特性 | - | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTED | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTED |
配置 | - | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | - | 15 V | 15 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | - | 1.17 A | 1.17 A |
最大漏极电流 (ID) | - | 1.17 A | 1.17 A |
最大漏源导通电阻 | - | 0.4 Ω | 0.4 Ω |
FET 技术 | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | - | MS-012AA | MS-012AA |
JESD-30 代码 | - | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | - | e4 | e4 |
湿度敏感等级 | - | 1 | 1 |
元件数量 | - | 2 | 2 |
端子数量 | - | 8 | 8 |
工作模式 | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | - | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | - | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | - | 260 | 260 |
极性/信道类型 | - | P-CHANNEL | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | - | 0.84 W | 0.84 W |
认证状态 | - | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | - | YES | YES |
端子面层 | - | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式 | - | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | - | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | - | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | - | SILICON | SILICON |
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