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TPS1120

产品描述TPS1120 Dual P-channel Enhancemenent-Mode MOSFET
产品类别半导体    电源管理   
文件大小369KB,共15页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
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TPS1120概述

TPS1120 Dual P-channel Enhancemenent-Mode MOSFET

TPS1120相似产品对比

TPS1120 TPS1120DRG4 TPS1120DR
描述 TPS1120 Dual P-channel Enhancemenent-Mode MOSFET MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET 漏源电压(Vdss):15V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.17A 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:180mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):840mW 类型:双P沟道 P沟道,-15V,-1.17A,180mΩ@-10V
是否无铅 - 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 - 符合 符合
零件包装代码 - SOIC SOIC
包装说明 - GREEN, SOIC-8 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数 - 8 8
Reach Compliance Code - unknown compliant
ECCN代码 - EAR99 EAR99
其他特性 - LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTED LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTED
配置 - SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 - 15 V 15 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) - 1.17 A 1.17 A
最大漏极电流 (ID) - 1.17 A 1.17 A
最大漏源导通电阻 - 0.4 Ω 0.4 Ω
FET 技术 - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 - MS-012AA MS-012AA
JESD-30 代码 - R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 - e4 e4
湿度敏感等级 - 1 1
元件数量 - 2 2
端子数量 - 8 8
工作模式 - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 - 150 °C 150 °C
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) - 260 260
极性/信道类型 - P-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) - 0.84 W 0.84 W
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
表面贴装 - YES YES
端子面层 - Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 - GULL WING GULL WING
端子位置 - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 - SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 - SILICON SILICON

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