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5962-8959830MMA

产品描述Standard SRAM, 128KX8, 120ns, CMOS, CQCC32,
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文件大小441KB,共91页
制造商White Microelectronics
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5962-8959830MMA概述

Standard SRAM, 128KX8, 120ns, CMOS, CQCC32,

5962-8959830MMA规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间120 ns
JESD-30 代码R-CQCC-N32
JESD-609代码e0
长度13.97 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织128KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QCCN
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.03 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
宽度11.43 mm
Base Number Matches1

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REVISIONS
LTR
H
DESCRIPTION
Add device type 41. Make corrections to case outline N, dimension b.
Add vendor CAGE 65786 as source of supply for device type 41.
Update boilerplate. Editorial changes throughout.
Add device types 42, 43, 44, 45, and 46. Editorial changes to pages
1, 3, 7-15. Update boilerplate. ksr
Added provisions to accommodate radiation-hardened devices.
Added device type 47 to drawing. glg
Corrected case outline 8 Figure 1 to show correct numbering of
terminals. Corrected Figure 2 Terminal connections. Corrected the
case outline Y Figure 1 to show the proper distance of E and E1.
Added note to Case outline Y Figure 1, to allow for bottom brazed
package as an alternative style to the side brazed package . Update
boilerplate. Editorial changes throughout. ksr
Changed the minimum value for the Q dimension on package T from
0.026 to 0.020 and removed footnote 12. Editorial changes
throughout.. ksr
Added device type 48 to drawing. ksr
Corrected typo on Figure 4 (Read Cycle). ksr
Vendor requested change in capacitance in Table I for devices 39 and
40 from 5 pF to 8 pF. ksr
DATE (YR-MO-DA)
97-03-26
APPROVED
Raymond Monnin
J
K
L
98-03-03
00-03-01
00-12-08
Raymond Monnin
Raymond Monnin
Raymond Monnin
M
02-12-19
Raymond Monnin
N
P
R
03-08-12
05-08-16
06-02-13
Raymond Monnin
Raymond Monnin
Raymond Monnin
REV
SHEET
REV
SHEET
REV STATUS
OF SHEETS
PMIC N/A
R
35
R
15
R
36
R
16
R
37
R
17
R
38
R
18
REV
R
39
R
19
R
40
R
20
R
41
R
21
R
1
R
42
R
22
R
2
R
43
R
23
R
3
R
44
R
24
R
4
R
45
R
25
R
5
R
46
R
26
R
6
R
47
R
27
R
7
R
48
R
28
R
8
R
49
R
29
R
9
R
50
R
30
R
10
R
51
R
31
R
11
R
52
R
32
R
12
R
33
R
13
R
34
R
14
SHEET
PREPARED BY
Kenneth S. Rice
CHECKED BY
Raymond Monnin
DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS
COLUMBUS, OHIO 43218-3990
http://www.dscc.dla.mil
STANDARD
MICROCIRCUIT
DRAWING
THIS DRAWING IS
AVAILABLE
FOR USE BY ALL
DEPARTMENTS
AND AGENCIES OF THE
DEPARTMENT OF DEFENSE
AMSC N/A
APPROVED BY
Michael A. Frye
DRAWING APPROVAL DATE
89-04-21
REVISION LEVEL
R
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL,
CMOS, 128K X 8 STATIC RANDOM
ACCESS MEMORY (SRAM) LOW POWER,
MONOLITHIC SILICON
SIZE
A
SHEET
CAGE CODE
67268
1 OF
52
5962-89598
5962-E261-06
DSCC FORM 2233
APR 97
10月全国开通手机电视
文章作者:gaosi文章来源 移动3G网 www.Goes3G.com/(原文链接地址:http://www.goes3g.com/200510/01080627.html)记者昨天从有关渠道获悉,中国移动将在全网范围开通手机电视业务。但据移动内 ......
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