SN75372概述

SN75372 Dual MOSFET Drivers

SN75372规格参数

参数名称	属性值
Package Group	PDIP\|8,SOIC\|8,SO\|8
Rating	Catalog
Fall time(ns)	20
Rise time(ns)	20
Approx. price(US$)	1.06 \| 1ku
Features	Low Quiescent Current
Operating temperature range(C)	0 to 70
Number of channels(#)	2

SN75372相似产品对比

	SN75372	SN75372DRE4	SN75372PSRG4
描述	SN75372 Dual MOSFET Drivers	Gate Drivers DUAL MOSFET DRIVERS	Gate Drivers Dual MOSFET Drivers
是否无铅	-	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	-	符合	符合
厂商名称	-	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码	-	SOIC	SOIC
包装说明	-	SOP, SOP8,.25	SOP, SOP8,.3
针数	-	8	8
Reach Compliance Code	-	unknown	unknown
ECCN代码	-	EAR99	EAR99
高边驱动器	-	NO	NO
接口集成电路类型	-	NAND GATE BASED MOSFET DRIVER	NAND GATE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码	-	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8
JESD-609代码	-	e4	e4
长度	-	4.9 mm	6.2 mm
湿度敏感等级	-	1	1
功能数量	-	2	2
端子数量	-	8	8
最高工作温度	-	70 °C	70 °C
标称输出峰值电流	-	0.5 A	0.5 A
封装主体材料	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	-	SOP	SOP
封装等效代码	-	SOP8,.25	SOP8,.3
封装形状	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	-	260	260
认证状态	-	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	-	1.75 mm	2 mm
最大供电电压	-	5.25 V	5.25 V
最小供电电压	-	4.75 V	4.75 V
标称供电电压	-	5 V	5 V
电源电压1-最大	-	24 V	24 V
电源电压1-分钟	-	4.75 V	4.75 V
电源电压1-Nom	-	20 V	20 V
表面贴装	-	YES	YES
技术	-	BIPOLAR	BIPOLAR
温度等级	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	-	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	-	GULL WING	GULL WING
端子节距	-	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	-	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
断开时间	-	0.05 µs	0.05 µs
接通时间	-	0.065 µs	0.065 µs
宽度	-	3.9 mm	5.3 mm

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