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5962-9679506MYA

产品描述Standard SRAM, 256KX16, 20ns, CMOS, CDSO44, CERAMIC, SOJ-44
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文件大小208KB,共24页
制造商White Microelectronics
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5962-9679506MYA在线购买

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5962-9679506MYA概述

Standard SRAM, 256KX16, 20ns, CMOS, CDSO44, CERAMIC, SOJ-44

5962-9679506MYA规格参数

参数名称属性值
包装说明CERAMIC, SOJ-44
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间20 ns
JESD-30 代码R-CDSO-J44
JESD-609代码e0
长度28.575 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
功能数量1
端子数量44
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织256KX16
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码SOJ
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.44 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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REVISIONS
LTR
A
B
C
DESCRIPTION
Changes in accordance with NOR 5962-R159-97.
Change to Table I; I
CCDR
, device type column. Updated boilerplate.
ksr
Correct E2 dimension on package X from 3.85 min and 3.95 max to
.385 min and .395 max inches. Change the I
OL
test condition for V
OL
from 8 mA to 6 mA in Table I. Updated boilerplate. ksr
DATE (YR-MO-DA)
96-12-20
98-02-18
APPROVED
Raymond Monnin
Raymond Monnin
04-10-27
Raymond Monnin
REV
SHEET
REV
SHEET
REV STATUS
OF SHEETS
PMIC N/A
C
15
C
16
C
17
C
18
REV
SHEET
C
19
C
20
C
21
C
1
C
22
C
2
C
23
C
3
C
4
C
5
C
6
C
7
C
8
C
9
C
10
C
11
C
12
C
13
C
14
PREPARED BY
Gary L. Gross
DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS
COLUMBUS, OHIO 43218-3990
http://www.dscc.dla.mil
STANDARD
MICROCIRCUIT
DRAWING
THIS DRAWING IS
AVAILABLE
FOR USE BY ALL
DEPARTMENTS
AND AGENCIES OF THE
DEPARTMENT OF DEFENSE
AMSC N/A
CHECKED BY
Jeff Bowling
APPROVED BY
Michael A. Frye
DRAWING APPROVAL DATE
96-05-17
REVISION LEVEL
C
MICROCIRCUIT, MEMORY,
DIGITAL, 256K X 16 STATIC
RANDOM ACCESS MEMORY
(SRAM), MONOLITHIC
SILICON
SIZE
A
SHEET
1 OF
23
5962-E010-05
CAGE CODE
67268
5962-96795
DSCC FORM 2233
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