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LF255D

产品描述OP-AMP, 13000 uV OFFSET-MAX, 20 MHz BAND WIDTH, PDIP8
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小232KB,共14页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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LF255D概述

OP-AMP, 13000 uV OFFSET-MAX, 20 MHz BAND WIDTH, PDIP8

运算放大器, 13000 uV 最大补偿, 20 MHz 波段 宽度, PDIP8

LF255D规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码SOIC
包装说明MICRO, PLASTIC, SOP-8
针数8
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.005 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.0001 µA
标称共模抑制比100 dB
频率补偿YES
最大输入失调电压6500 µV
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e0
低-偏置YES
低-失调NO
负供电电压上限-22 V
标称负供电电压 (Vsup)-20 V
功能数量1
端子数量8
最高工作温度105 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源+-15/+-20 V
认证状态Not Qualified
标称压摆率5 V/us
最大压摆率4 mA
供电电压上限22 V
标称供电电压 (Vsup)20 V
表面贴装YES
技术BIPOLAR
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽2500 kHz
最小电压增益25000

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®
LF155-LF255-LF355
LF156-LF256-LF356
LF157-LF257-LF357
WIDE BANDWIDTH
SINGLE J-FET OPERATIONAL AMPLIFIERS
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
HIGH INPUT IMPEDANCE J-FET INPUT
STAGE
HIGH SPEED J-FET OP-AMPs : up to 20MHz,
50V/µs
OFFSET VOLTAGE ADJUSTMENT DOES NOT
DEGRADE DRIFT OR COMMON-MODE
REJECTION AS IN MOST OF MONOLITHIC
AMPLIFIERS
INTERNAL COMPENSATION AND LARGE
DIFFERENTIAL INPUT VOLTAGECAPABILITY
(UP TO V
CC+
)
N
DIP8
(Plastic Package)
D
SO8
(Plastic Micropackage)
TYPICAL APPLICATIONS
PRECISION HIGH SPEED INTEGRATORS
FAST D/A AND CONVERTERS
HIGH IMPEDANCE BUFFERS
WIDEBAND, LOW NOISE, LOW DRIFT
AMPLIFIERS
LOGARITHIMIC AMPLIFIERS
PHOTOCELL AMPLIFIERS
SAMPLE AND HOLD CIRCUITS
ORDER CODES
Part Number
LF355, LF356, LF357
LF255, LF256, LF257
LF155, LF156, LF157
Example :
LF355N
Temperature
Range
0
o
C, +70
o
C
–40 C, +105 C
–55 C, +125 C
o
o
o
o
Package
N
D
PIN CONNECTIONS
(top view)
1
DESCRIPTION
These circuits are monolithic J-FET input operational
amplifiers incorporating well matched, high voltage
J-FET on the same chip with standard bipolar transis-
tors.
This amplifiers feature low input bias and offset cur-
rents, low input offset voltage and input offset voltage
drift,coupledwith offsetadjust which doesnot degrade
drift or common-mode rejection.
The devices are also designed for high slew rate, wide
bandwidth,extremelyfastsettlingtime, lowvoltageand
current noise and a low 1/f noise level.
July 1998
8
7
6
5
1
2
3
4
- Offset Null 1
- Inverting input
- Non-inverting input
- V
CC-
5
6
7
8
-
-
-
-
Offset Null 2
Output
+
V
CC
N.C.
2
3
4
1/14

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