Precision Amplifiers Dual Low Power JFET Input Operational Amplifier 8-PDIP 0 to 70
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP-8 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0001 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.0001 µA |
| 标称共模抑制比 | 95 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 7500 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 9.8171 mm |
| 低-偏置 | YES |
| 低-失调 | NO |
| 微功率 | YES |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 负供电电压上限 | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 功能数量 | 2 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最小摆率 | 0.6 V/us |
| 标称压摆率 | 1 V/us |
| 最大压摆率 | 0.5 mA |
| 供电电压上限 | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 1000 kHz |
| 最小电压增益 | 15000 |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| LF442CN | LF442ACN | LF442AMH | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Precision Amplifiers Dual Low Power JFET Input Operational Amplifier 8-PDIP 0 to 70 | Precision Amplifiers Dual Low Power JFET Input Operational Amplifier 8-PDIP 0 to 70 | Dual Low Power JFET Input Operational Amplifier 8-TO-99 -55 to 125 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DIP | DIP | BCY |
| 包装说明 | DIP-8 | DIP, DIP8,.3 | TO-99, CAN8,.2 |
| 针数 | 8 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | _compli | _compli | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0001 µA | 0.00005 µA | 0.00005 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.0001 µA | 0.00005 µA | 0.00005 µA |
| 标称共模抑制比 | 95 dB | 100 dB | 100 dB |
| 频率补偿 | YES | YES | YES |
| 最大输入失调电压 | 7500 µV | 1000 µV | 1000 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 | R-PDIP-T8 | O-MBCY-W8 |
| 低-偏置 | YES | YES | YES |
| 低-失调 | NO | NO | NO |
| 微功率 | YES | YES | YES |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 |
| 负供电电压上限 | -18 V | -22 V | -22 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -20 V | -20 V |
| 功能数量 | 2 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 8 | 8 | 8 |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 125 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | METAL |
| 封装代码 | DIP | DIP | TO-99 |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 | DIP8,.3 | CAN8,.2 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | ROUND |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-15 V | +-15 V | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最小摆率 | 0.6 V/us | 0.8 V/us | 0.8 V/us |
| 标称压摆率 | 1 V/us | 1 V/us | 1 V/us |
| 最大压摆率 | 0.5 mA | 0.4 mA | 1 mA |
| 供电电压上限 | 18 V | 22 V | 22 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 20 V | 20 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 技术 | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | WIRE |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 1000 kHz | 1000 kHz | 1000 kHz |
| 最小电压增益 | 15000 | 25000 | 25000 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | - |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | - |
| 长度 | 9.8171 mm | 9.8171 mm | - |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 5.08 mm | - |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | - |
| 宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm | - |
| 厂商名称 | - | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| Factory Lead Time | - | 1 week | 1 week |
| Samacsys Descripti | - | Operational Amplifiers | IC OP AMP DUAL LP JFET |
| 器件名 | 厂商 | 描述 |
|---|---|---|
| KF442 | SAMSUNG(三星) | Operational Amplifier, 2 Func, 7500uV Offset-Max, BIPolar, PDIP8, 0.300 INCH, DIP-8 |
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