203A665-145,203A665-145 pdf中文资料,203A665-145引脚图,203A665-145电路-Datasheet-电子工程世界

203A665-145: 产品描述Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDFP40, 0.775 X 0.650 INCH, CERAMIC, DFP-40; 产品类别存储存储; 文件大小219KB，共12页; 制造商BAE Systems

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203A665-145概述

Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDFP40, 0.775 X 0.650 INCH, CERAMIC, DFP-40

203A665-145规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	DFP
包装说明	DFP,
针数	40
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	35 ns
JESD-30 代码	R-CDFP-F40
长度	19.685 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	40
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	128KX8
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DFP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-PRF-38535 Class Q
座面最大高度	2.667 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.46 V
最小供电电压 (Vsup)	3.14 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	FLAT
端子节距	0.635 mm
端子位置	DUAL
总剂量	1M Rad(Si) V
宽度	16.51 mm
Base Number Matches	1

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描述	Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDFP40, 0.775 X 0.650 INCH, CERAMIC, DFP-40	Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDFP40, 0.775 X 0.650 INCH, CERAMIC, DFP-40	Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDFP40, 0.775 X 0.650 INCH, CERAMIC, DFP-40	Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDFP40, 0.775 X 0.650 INCH, CERAMIC, DFP-40	Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDFP40, 0.775 X 0.650 INCH, CERAMIC, DFP-40	Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDFP40, 0.775 X 0.650 INCH, CERAMIC, DFP-40	Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDFP40, 0.775 X 0.650 INCH, CERAMIC, DFP-40	Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDFP40, 0.775 X 0.650 INCH, CERAMIC, DFP-40	Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDFP40, 0.775 X 0.650 INCH, CERAMIC, DFP-40	Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDFP40, 0.775 X 0.650 INCH, CERAMIC, DFP-40
零件包装代码	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP
包装说明	DFP,	DFP,	DFP,	DFP,	DFP,	DFP,	DFP,	DFP,	DFP,	DFP,
针数	40	40	40	40	40	40	40	40	40	40
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
最长访问时间	35 ns	30 ns	35 ns	30 ns	30 ns	35 ns	35 ns	35 ns	30 ns	30 ns
JESD-30 代码	R-CDFP-F40	R-CDFP-F40	R-CDFP-F40	R-CDFP-F40	R-CDFP-F40	R-CDFP-F40	R-CDFP-F40	R-CDFP-F40	R-CDFP-F40	R-CDFP-F40
长度	19.685 mm	19.685 mm	19.685 mm	19.685 mm	19.685 mm	19.685 mm	19.685 mm	19.685 mm	19.685 mm	19.685 mm
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	40	40	40	40	40	40	40	40	40	40
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.667 mm	2.667 mm	2.667 mm	2.667 mm	2.667 mm	2.667 mm	2.667 mm	2.667 mm	2.667 mm	2.667 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.46 V	3.46 V	3.46 V	3.46 V	3.46 V	3.46 V	3.46 V	3.46 V	3.46 V	3.46 V
最小供电电压 (Vsup)	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT
端子节距	0.635 mm	0.635 mm	0.635 mm	0.635 mm	0.635 mm	0.635 mm	0.635 mm	0.635 mm	0.635 mm	0.635 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	16.51 mm	16.51 mm	16.51 mm	16.51 mm	16.51 mm	16.51 mm	16.51 mm	16.51 mm	16.51 mm	16.51 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
筛选级别	MIL-PRF-38535 Class Q	-	-	MIL-PRF-38535 Class Q	-	MIL-PRF-38535 Class Q	MIL-PRF-38535 Class V	-	MIL-PRF-38535 Class Q	MIL-PRF-38535 Class V
总剂量	1M Rad(Si) V	-	-	1M Rad(Si) V	-	1M Rad(Si) V	1M Rad(Si) V	-	1M Rad(Si) V	1M Rad(Si) V

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