Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> 255A833-125

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255A833-125: 产品描述SRAM Module, 128KX32, 25ns, CMOS, CDMA64, 1 X 0.900 INCH, CERAMIC, DFP-64; 产品类别存储存储; 文件大小342KB，共12页; 制造商BAE Systems

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255A833-125概述

SRAM Module, 128KX32, 25ns, CMOS, CDMA64, 1 X 0.900 INCH, CERAMIC, DFP-64

255A833-125规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	DFP
包装说明	,
针数	64
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	25 ns
JESD-30 代码	R-CDMA-F64
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE
内存宽度	32
功能数量	1
端子数量	64
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	128KX32
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-PRF-38534 Class H
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
总剂量	1M Rad(Si) V
Base Number Matches	1

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128K x 32

Radiation Hardened

Static RAM MCM– 5 V

Features

225A833

Product Description

Other

• Read/Write Cycle Times

≤25

ns (-55 °C to 125°C)

• SMD Number Pending

• Asynchronous Operation

• CMOS or TTL Compatible I/O

• Single 5 V ± 10% Power Supply

• Low Operating Power

• Packaging Options

• 64-Lead Dual Flat Pack (1.000” x 0.900”)

Radiation

• Fabricated with Bulk CMOS 0.5 µm Process

• Total Dose Hardness through 1x10

rad(Si)

• Neutron Hardness through 1x10

N/cm

• Dynamic and Static Transient Upset Hardness

through 1x10

rad(Si)/s

• Soft Error Rate of < 1x10

-11

Upsets/Bit-Day

• Latchup Free

General Description

The 128K x 32 radiation hardened static

RAM is composed of four 128K x 8 SRAM

memory die assembled in a single, double-

sided ceramic substrate. Each die is a high

performance 131,072 word x 8-bit static

random access memory with industry-

standard functionality. It is fabricated with

BAE SYSTEMS’ radiation hardened

technology and is designed for use in

systems operating in radiation

environments. The RAM operates over the

full military temperature range and requires

a single 5 V ± 10% power supply. The RAM

is available with CMOS compatible I/O.

Power consumption is typically less than 80

mW/MHz in operation, and less than 40 mW

in the low power disabled mode. The RAM

read operation is fully asynchronous, with an

associated typical access time of 19

nanoseconds.

BAE SYSTEMS’ enhanced bulk CMOS

technology is radiation hardened through

the use of advanced and proprietary design,

layout, and process hardening techniques.

BAE SYSTEMS • 9300 Wellington Road • Manassas, Virginia 20110-4122

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描述	SRAM Module, 128KX32, 25ns, CMOS, CDMA64, 1 X 0.900 INCH, CERAMIC, DFP-64	SRAM Module, 128KX32, 25ns, CMOS, CDMA64, 1 X 0.900 INCH, CERAMIC, DFP-64	SRAM Module, 128KX32, 25ns, CMOS, CDMA64, 1 X 0.900 INCH, CERAMIC, DFP-64	SRAM Module, 128KX32, 30ns, CMOS, CDMA64, 1 X 0.900 INCH, CERAMIC, DFP-64	SRAM Module, 128KX32, 25ns, CMOS, CDMA64, 1 X 0.900 INCH, CERAMIC, DFP-64	SRAM Module, 128KX32, 30ns, CMOS, CDMA64, 1 X 0.900 INCH, CERAMIC, DFP-64	SRAM Module, 128KX32, 30ns, CMOS, CDMA64, 1 X 0.900 INCH, CERAMIC, DFP-64	SRAM Module, 128KX32, 30ns, CMOS, CDMA64, 1 X 0.900 INCH, CERAMIC, DFP-64
零件包装代码	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP
针数	64	64	64	64	64	64	64	64
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
最长访问时间	25 ns	25 ns	25 ns	30 ns	25 ns	30 ns	30 ns	30 ns
JESD-30 代码	R-CDMA-F64	R-CDMA-F64	R-CDMA-F64	R-CDMA-F64	R-CDMA-F64	R-CDMA-F64	R-CDMA-F64	R-CDMA-F64
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE
内存宽度	32	32	32	32	32	32	32	32
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	64	64	64	64	64	64	64	64
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	128KX32	128KX32	128KX32	128KX32	128KX32	128KX32	128KX32	128KX32
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
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表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1

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