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238A792-141: 产品描述SRAM Module, 128KX32, 40ns, CMOS, CDFP64, 1 X 0.900 INCH, CERAMIC, DFP-64; 产品类别存储存储; 文件大小343KB，共12页; 制造商BAE Systems

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238A792-141概述

SRAM Module, 128KX32, 40ns, CMOS, CDFP64, 1 X 0.900 INCH, CERAMIC, DFP-64

238A792-141规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	DFP
包装说明	DFP,
针数	64
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	40 ns
JESD-30 代码	R-CDFP-F64
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE
内存宽度	32
功能数量	1
端子数量	64
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	128KX32
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DFP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-PRF-38534 Class K
最大供电电压 (Vsup)	3.46 V
最小供电电压 (Vsup)	3.14 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
总剂量	1M Rad(Si) V
Base Number Matches	1

238A792-141相似产品对比

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描述	SRAM Module, 128KX32, 40ns, CMOS, CDFP64, 1 X 0.900 INCH, CERAMIC, DFP-64	SRAM Module, 128KX32, 35ns, CMOS, CDFP64, 1 X 0.900 INCH, CERAMIC, DFP-64	SRAM Module, 128KX32, 40ns, CMOS, CDFP64, 1 X 0.900 INCH, CERAMIC, DFP-64	SRAM Module, 128KX32, 40ns, CMOS, CDFP64, 1 X 0.900 INCH, CERAMIC, DFP-64	SRAM Module, 128KX32, 35ns, CMOS, CDFP64, 1 X 0.900 INCH, CERAMIC, DFP-64	SRAM Module, 128KX32, 35ns, CMOS, CDFP64, 1 X 0.900 INCH, CERAMIC, DFP-64	SRAM Module, 128KX32, 35ns, CMOS, CDFP64, 1 X 0.900 INCH, CERAMIC, DFP-64	SRAM Module, 128KX32, 40ns, CMOS, CDFP64, 1 X 0.900 INCH, CERAMIC, DFP-64
零件包装代码	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP
包装说明	DFP,	DFP,	DFP,	DFP,	DFP,	DFP,	DFP,	DFP,
针数	64	64	64	64	64	64	64	64
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
最长访问时间	40 ns	35 ns	40 ns	40 ns	35 ns	35 ns	35 ns	40 ns
JESD-30 代码	R-CDFP-F64	R-CDFP-F64	R-CDFP-F64	R-CDFP-F64	R-CDFP-F64	R-CDFP-F64	R-CDFP-F64	R-CDFP-F64
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bi
内存集成电路类型	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE
内存宽度	32	32	32	32	32	32	32	32
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	64	64	64	64	64	64	64	64
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
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封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	3.46 V	3.46 V	3.46 V	3.46 V	3.46 V	3.46 V	3.46 V	3.46 V
最小供电电压 (Vsup)	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	-

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