电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

2N2752

产品描述Power Bipolar Transistor, 20A I(C), NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小70KB,共1页
制造商Silicon Transistor Corporation
下载文档 详细参数 全文预览

2N2752概述

Power Bipolar Transistor, 20A I(C), NPN

2N2752规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)20 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)10
最高工作温度175 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)200 W
表面贴装NO
Base Number Matches1

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 578  619  646  1249  1669 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved