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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2N2778

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2N2778: 产品描述Power Bipolar Transistor, 30A I(C), NPN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小70KB，共1页; 制造商Silicon Transistor Corporation

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2N2778概述

Power Bipolar Transistor, 30A I(C), NPN

2N2778规格参数

参数名称	属性值
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown
最大集电极电流 (IC)	30 A
配置	Single
最小直流电流增益 (hFE)	10
最高工作温度	175 °C
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	200 W
表面贴装	NO
Base Number Matches	1

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