5 mm (T1
3
/
4
) LED, Non Diffused
LS 5420, LY 5420, LG 5410
Besondere Merkmale
q
q
q
q
q
q
eingefärbtes, klares Gehäuse
zur Einkopplung in Lichtleiter
als optischer Indikator einsetzbar
Lötspieße ohne Aufsetzebene
gegurtet lieferbar
Störimpulsfest nach DIN 40839
VEX06713
Features
q
q
q
q
q
q
colored, clear package
optical coupling into light pipes
for use as optical indicator
solder leads without stand-off
available taped on reel
load dump resistant acc. to DIN 40839
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehäusefarbe
Color of
Package
Lichtstärke
Luminous
Intensity
I
F
= 10 mA
I
V
(mcd)
16
40
63
100
40
16
40
63
100
40
16
40
63
100
40
… 125
… 80
… 125
… 200
… 500
… 125
… 80
… 125
… 200
… 320
… 125
… 80
… 125
… 200
… 320
Bestellnummer
Ordering Code
Typ
Type
LS 5420-MQ
LS 5420-P
LS 5420-Q
LS 5420-R
LS 5420-PT
LY 5420-MQ
LY 5420-P
LY 5420-Q
LY 5420-R
LY 5420-PS
LG 5410-MQ
LG 5410-P
LG 5410-Q
LG 5410-R
LG 5410-PS
super-red
red clear
Q62703-Q1428
Q62703-Q1430
Q62703-Q1993
Q62703-Q1429
Q62703-Q1431
Q62703-Q1432
Q62703-Q1434
Q62703-Q2004
Q62703-Q3235
Q62703-Q1435
Q62703-Q1439
Q62703-Q1868
Q62703-Q2020
Q62703-Q2021
Q62703-Q2022
yellow
yellow clear
green
colorless clear
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit
I
V max
/
I
V min
≤
2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit
I
V max
/
I
V min
≤
2.0.
Semiconductor Group
1
11.96
LS 5420, LY 5420, LG 5410
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom
Surge current
t
≤
10
µs,
D = 0.005
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung
Power dissipation
T
A
≤
25 ˚C
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
Symbol
Symbol
Werte
Values
– 55 … + 100
– 55 … + 100
+ 100
40
0.5
Einheit
Unit
˚C
˚C
˚C
mA
A
T
op
T
stg
T
j
I
F
I
FM
V
R
P
tot
5
140
V
mW
R
th JA
400
K/W
Semiconductor Group
2
LS 5420, LY 5420, LG 5410
Kennwerte
(
T
A
= 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
LS
Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.)
λ
peak
Wavelength at peak emission
(typ.)
I
F
= 20 mA
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
I
F
= 20 mA
(typ.)
λ
dom
(typ.)
635
Werte
Values
LY
586
LG
565
nm
Einheit
Unit
628
590
570
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 %
I
rel max
(typ.)
∆λ
Spectral bandwidth at 50 %
I
rel max
(typ.)
I
F
= 20 mA
Abstrahlwinkel bei 50 %
I
V
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50 %
I
V
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 10 mA
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V, ƒ = 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
I
V
from 10 % to 90 %
I
V
from 90 % to 10 %
I
F
= 100 mA,
t
P
= 10
µs,
R
L
= 50
Ω
2ϕ
45
45
25
nm
24
2.0
2.6
0.01
10
12
24
2.0
2.0
0.01
10
10
24
2.0
2.6
0.01
10
15
Grad
deg.
V
V
µA
µA
pF
(typ.)
V
F
(max.)
V
F
(typ.)
I
R
(max.)
I
R
(typ.)
C
0
(typ.)
t
r
(typ.)
t
f
300
150
300
150
450
200
ns
ns
Semiconductor Group
3
LS 5420, LY 5420, LG 5410
Relative spektrale Emission
I
rel
=
f
(
λ
),
T
A
= 25 ˚C,
I
F
= 20 mA
Relative spectral emission
V (
λ
) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik
I
rel
=
f
(ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
4
LS 5420, LY 5420, LG 5410
Durchlaßstrom
I
F
=
f
(
V
F
)
Forward current
T
A
= 25 ˚C
Relative Lichtstärke
I
V
/
I
V(10 mA)
=
f
(
I
F
)
Relative luminous intensity
T
A
= 25 ˚C
Zulässige Impulsbelastbarkeit
I
F
=
f
(
t
P
)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter,
T
A
= 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
Semiconductor Group
5
stm32/stm8
京公网安备 11010802033920号
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