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WS512K32N-25H2IA

产品描述SRAM Module, 2MX8, 25ns, CMOS, CPGA66, 1.385 X 1.385 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66
产品类别存储    存储   
文件大小270KB,共8页
制造商White Electronic Designs Corporation
官网地址http://www.wedc.com/
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WS512K32N-25H2IA概述

SRAM Module, 2MX8, 25ns, CMOS, CPGA66, 1.385 X 1.385 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66

WS512K32N-25H2IA规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明1.385 X 1.385 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间25 ns
其他特性CONFIGURABLE AS 512K X 32 OR 1M X 16; TTL COMPATIBLE INPUT OUTPUT
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-CPGA-P66
JESD-609代码e0
长度35.2 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端子数量66
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码PGA
封装等效代码PGA66,11X11
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.7 mm
最大待机电流0.028 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.54 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子节距2.54 mm
端子位置PERPENDICULAR
宽度35.2 mm
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