Multi TOPLED
®
LSS T670, LOO T670, LYY T670
LGG T670, LPP T670
Besondere Merkmale
q
q
q
q
q
q
q
q
Features
q
q
q
q
q
q
q
q
P-LCC-4 package
color of package: white
for use as optical indicator
both chips can be controlled separately
for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
suitable for all SMT assembly and soldering methods
available taped on reel (8 mm tape)
load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group
1
11.96
VPL06837
Gehäusebauform: P-LCC-4
Gehäusefarbe: weiß
als optischer Indikator einsetzbar
beide Leuchtdiodenchips getrennt ansteuerbar
zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
gegurtet (8-mm-Filmgurt)
Störimpulsfest nach DIN 40839
LSS T670, LOO T670, LYY T670
LGG T670, LPP T670
Typ
Type
Emissions- Farbe der
farbe
Lichtaustritts-
fläche
Color of
Color of the
Emission
Light Emitting
Area
super-red/
super-red
orange
colorless clear
colorless clear
colorless clear
colorless clear
colorless clear
Lichtstärke
1)
Lichtstrom
Bestellnummer
Luminous
Intensity
1)
I
F
= 10 mA
I
V
(mcd)
≥
4.0 (8 typ.)
≥
4.0 (8 typ.)
≥
4.0 (8 typ.)
≥
4.0 (10 typ.)
≥
2.5 (5 typ.)
Luminous
Flux
I
F
= 10 mA
Φ
V
(mlm)
24 (typ.)
24 (typ.)
24 (typ.)
30 (typ.)
15 (typ.)
Ordering Code
s
LSS T670-JO
Q62703-Q2902
Q62703-Q2903
Q62703-Q2904
Q62703-Q2905
Q62703-Q2906
s
LOO T670-JO orange/
s
LYY T670-JO
LGG T670-JO
LPP T670-HO
yellow/
yellow
green/
green
pure green/
pure green
s
Not for new design / Nicht für Neuentwicklungen
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit
I
V max
/
I
V min
≤
2.0.
1)
Streuung der Lichtstärke in einer LED
I
V max
/
I
V min
≤
2.0.
1)
Bei MULTILED
®
mit 2 gleichfarbigen Chips in einem Gehäuse wird die Helligkeitsgruppe aus dem Mittelwert
der Lichtstärken ermittelt.
Luminous intensity ratio in one packaging unit
I
V max
/
I
V min
≤
2.0.
1)
Luminous intensity ratio in one LED
I
V max
/
I
V min
≤
2.0.
1)
In case of MULTILED
®
with two chips of the same color in one package, the mean of the brightness determines
the brightness group of the LED.
Semiconductor Group
2
LSS T670, LOO T670, LYY T670
LGG T670 LPP T670
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom
Surge current
t
≤
10
µs,
D
= 0.005
Sperrspanung
Reverse voltage
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-board
*
)
(Padgröße
≥
16 mm
2
)
mounted on PC board
*
)
(pad size
≥
16 mm
2
)
*
)
PC-board: FR4
1)
nur ein Chip betrieben
2)
beide Chips betrieben
1)
2)
Symbol
Symbol
Werte
Values
– 55 ... + 100
– 55 ... + 100
+ 100
30
0.5
Einheit
Unit
˚C
˚C
˚C
mA
A
T
op
T
stg
T
j
I
F
I
FM
V
R
P
tot
5
100
V
mW
R
th JA1)
R
th JA2)
480
650
K/W
K/W
one system on
both systems on simultaneously
Notes
Die angegebenen Grenzdaten gelten für einen Chip.
The stated maximum ratings refer to one chip.
Semiconductor Group
3
LSS T670, LOO T670, LYY T670
LGG T670, LPP T670
Kennwerte
(
T
A
= 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten
Lichtes
Wavelength at peak emission
I
F
= 10 mA
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
I
F
= 10 mA
Symbol
Symbol
LS
LO
610
Werte
Values
LY
586
LG
565
LP
557
nm
635
Einheit
Unit
λ
peak
(typ.)
(typ.)
(typ.)
(typ.)
λ
dom
628
605
590
570
560
nm
Spektrale Bandbreite
bei 50 %
I
rel max
(typ.)
Spectral bandwidth at 50 %
I
rel max
(typ.)
I
F
= 10 mA
Abstrahlwinkel bei 50 %
I
v
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50 %
I
v
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 10 mA
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
(typ.)
(max.)
(typ.)
(max.)
(typ.)
∆
λ
45
40
45
25
22
nm
2ϕ
120
2.0
2.6
0.01
10
12
120
2.0
2.6
0.01
10
8
120
2.0
2.6
0.01
10
10
120
2.0
2.6
0.01
10
15
120
2.0
2.6
0.01
10
15
deg.
V
V
µA
µA
pF
V
F
V
F
I
R
I
R
C
0
Schaltzeiten:
Switching times:
I
V
from 10 % to 90 %
(typ.)
I
V
from 90 % to 10 %
(typ.)
I
F
= 100 mA,
t
p
= 10
µs,
R
L
= 50
Ω
t
r
t
f
300
150
300
150
300
150
450
200
450
200
ns
ns
Semiconductor Group
4
LSS T670, LOO T670, LYY T670
LGG T670, LPP T670
Relative spektrale Emission
I
rel
=
f
(λ),
T
A
= 25 ˚C,
I
F
= 10 mA
Relative spectral emission
V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik
I
rel
=
f
(ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
5
微控制器 MCU
京公网安备 11010802033920号
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