CHIPLED
LG Q971
Besondere Merkmale
q
q
q
q
q
q
Gehäusebauform: 0603
Industriestandard bzgl. Lötpadraster
geringe Bauteilhöhe
für IR-Lötung geeignet
für Hinterleuchtungen und als opt. Indikator einsetzbar
gegurtet (8-mm-Filmgurt)
VEO06989
Features
q
q
q
q
q
q
0603 package
Industry standard footprint
low profile
suitable for IR reflow soldering process
for use as optical indicator and backlighting
available taped on reel (8 mm tape)
Typ
Type
Emissions- Farbe der
farbe
Lichtaustritts-
fläche
Color of
Color of the
Emission
Light Emitting
Area
green
colorless clear
Lichtstärke
Lichtstrom
Bestellnummer
Luminous
Intensity
I
F
= 20 mA
I
V
(mcd)
≥
6.30 (15 typ.)
Luminous
Flux
I
F
= 20 mA
Φ
V
(mlm)
120 (typ.)
Ordering Code
LG Q971-KO
Q62702-P5098
Semiconductor Group
1
1998-08-28
LG Q971
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom
Surge current
t
p
≤
10
µs,
D
= 0.005
Sperrspanung
Reverse voltage
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand
Sperrschicht / Umgebung
Thermal resistance
Junction / air
Symbol
Symbol
Werte
Values
– 30 ... + 85
– 40 ... + 85
+ 95
20
0.1
Einheit
Unit
°C
°C
°C
mA
A
T
op
T
stg
T
j
I
F
I
FM
V
R
P
tot
R
th JA
5
55
800
V
mW
K/W
Semiconductor Group
2
1998-08-28
LG Q971
Kennwerte
(
T
A
= 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
I
F
= 20 mA
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
I
F
= 20 mA
Spektrale Bandbreite
Spectral bandwidth
I
F
= 20 mA
Abstrahlwinkel bei 50 %
I
v
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50 %
I
v
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 20 mA
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
(typ.)
(max.)
(typ.)
(max.)
(typ.)
(typ.)
(typ.)
(typ.)
(typ.)
(typ.)
Symbol
Symbol
Werte
Values
565
Einheit
Unit
nm
λ
peak
λ
dom
570
nm
∆
λ
28
nm
2ϕ
160
2.2
2.6
0.01
10
0.06
0.10
Grad
deg.
V
V
µA
µA
nm/K
nm/K
V
F
V
F
I
R
I
R
TC
λ
TC
λ
Temperaturkoeffizient von
λ
dom
(
I
F
= 20 mA)
Temperature coefficient of
λ
dom
(
I
F
= 20 mA)
Temperaturkoeffizient von
λ
peak
,
I
F
= 20 mA
Temperature coefficient of
λ
peak
,
I
F
= 20 mA
Temperaturkoeffizient von
∆
λ
(
I
F
= 20 mA)
Temperature coefficient of
∆
λ
(
I
F
= 20 mA)
Temperaturkoeffizient von
V
F
, I
F
= 20 mA (typ.)
Temperature coefficient of
V
F
, I
F
= 20 mA (typ.)
Temperaturkoeffizient von
I
V
, I
F
= 20 mA (typ.)
Temperature coefficient of
I
V
, I
F
= 20 mA (typ.)
(typ.)
(typ.)
TC
λ
TC
V
TC
Iv
0.02
– 1.2
– 0.6
nm/K
mV/K
%/K
Semiconductor Group
3
1998-08-28
LG Q971
Relative spektrale Emission
I
rel
=
f
(λ),
T
A
= 25 °C,
I
F
= 20 mA
Relative spectral emission
V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
1.0
Ι
rel
%
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
400
450
500
550
600
650
700
nm 750
OHL00406
V
λ
λ
Abstrahlcharakteristik
I
rel
=
f
(ϕ)
Radiation characteristic
40˚
30˚
20˚
10˚
0˚
OHL00408
ϕ
1.0
50˚
0.8
0.6
60˚
0.4
70˚
0.2
80˚
90˚
100˚
1.0
0.8
0.6
0.4
0˚
20˚
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
0
Semiconductor Group
4
1998-08-28
LG Q971
Durchlaßstrom
I
F
=
f
(
V
F
)
Forward current
T
A
= 25 °C
10
2
OHL00427
Relative Lichtstärke
I
V
/
I
V(20 mA)
=
f
(
I
F
)
Relative luminous intensity
T
A
= 25 °C
10
1
Ι
V
Ι
V (20 mA)
10
0
5
OHL00426
Ι
F
mA
10
1
10
0
10
-1
10
-1
5
10
-2
10
-2
5
10
-3
1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8
V 3.2
10
-3 -1
10
5 10
0
5 10
1
mA 10
2
V
F
Ι
F
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
30
mA
OHL00428
Ι
F
25
20
15
10
5
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80
C 100
T
A
Semiconductor Group
5
1998-08-28
京公网安备 11010802033920号
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