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LH28F160S3-L13

产品描述1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 150 ns, PBGA64
产品类别存储   
文件大小4MB,共51页
制造商SHARP
官网地址http://sharp-world.com/products/device/
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LH28F160S3-L13概述

1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 150 ns, PBGA64

1M × 16 FLASH 2.7V 可编程只读存储器, 150 ns, PBGA64

LH28F160S3-L13规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量64
最大工作温度70 Cel
最小工作温度0.0 Cel
最大供电/工作电压3.6 V
最小供电/工作电压2.7 V
额定供电电压3 V
最大存取时间150 ns
加工封装描述8 × 11 MM, 塑料, CSP, FBGA-64
状态DISCONTINUED
包装形状矩形的
包装尺寸GRID 阵列, THIN PROFILE, FINE PITCH
表面贴装Yes
端子形式BALL
端子间距0.8000 mm
端子位置BOTTOM
包装材料塑料/环氧树脂
温度等级COMMERCIAL
内存宽度16
组织1M × 16
存储密度1.68E7 deg
操作模式ASYNCHRONOUS
位数1.05E6 words
位数1M
备用存储器宽度8
内存IC类型FLASH 2.7V 可编程只读存储器
串行并行并行

LH28F160S3-L13相似产品对比

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描述 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 150 ns, PBGA64 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 150 ns, PBGA64 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 150 ns, PBGA64 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 150 ns, PBGA64 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 150 ns, PBGA64 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 150 ns, PBGA64 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 150 ns, PBGA64 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 150 ns, PBGA64 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 150 ns, PBGA64
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 64 64 64 56 56 64 64 64 64
表面贴装 Yes Yes Yes YES YES YES NO YES YES
端子形式 BALL BALL BALL GULL WING GULL WING BALL THROUGH-HOLE BALL BALL
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM DUAL DUAL BOTTOM DUAL BOTTOM BOTTOM
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
内存宽度 16 16 16 16 8 16 16 16 16
组织 1M × 16 1M × 16 1M × 16 1MX16 2MX8 1MX16 1MX16 1MX16 1MX16
厂商名称 - - - SHARP SHARP SHARP SHARP SHARP SHARP
包装说明 - - - 0.600 INCH, PLASTIC, SSOP-56 SSOP-56 8 X 11 MM, PLASTIC, CSP, FBGA-64 0.750 INCH, PLASTIC, SDIP-64 8 X 11 MM, PLASTIC, CSP, FBGA-64 8 X 11 MM, PLASTIC, CSP, FBGA-64
Reach Compliance Code - - - unknow unknow unknow unknow unknow unknow
最长访问时间 - - - 120 ns 130 ns 120 ns 150 ns 150 ns 120 ns
其他特性 - - - ACCESS TIME 100 NS AT VCC 3.3+/-0.3V CONFIGURABLE AS 1M X 16 ACCESS TIME 100 NS AT VCC 3.3+/-0.3V ACCESS TIME 130 NS AT VCC 3.3+/-0.3V ACCESS TIME 130 NS AT VCC 3.3+/-0.3V ACCESS TIME 100 NS AT VCC 3.3+/-0.3V
备用内存宽度 - - - 8 - 8 8 8 8
JESD-30 代码 - - - R-PDSO-G56 R-PDSO-G56 R-PBGA-B64 R-PDIP-T64 R-PBGA-B64 R-PBGA-B64
长度 - - - 23.7 mm 23.7 mm 11 mm 58 mm 11 mm 11 mm
内存密度 - - - 16777216 bi 16777216 bi 16777216 bi 16777216 bi 16777216 bi 16777216 bi
内存集成电路类型 - - - FLASH FLASH FLASH FLASH FLASH FLASH
字数 - - - 1048576 words 2097152 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 - - - 1000000 2000000 1000000 1000000 1000000 1000000
工作模式 - - - ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 - - - 70 °C 85 °C 85 °C 70 °C 70 °C 70 °C
封装主体材料 - - - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 - - - SSOP SSOP TFBGA SDIP TFBGA TFBGA
封装形状 - - - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - - - SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH IN-LINE, SHRINK PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 - - - PARALLEL - PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
编程电压 - - - 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
认证状态 - - - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 - - - 1.85 mm 1.85 mm 1.2 mm 5.7 mm 1.2 mm 1.2 mm
最大供电电压 (Vsup) - - - 3.6 V - 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) - - - 2.7 V - 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) - - - 3 V 3.3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
技术 - - - CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
端子节距 - - - 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 1.778 mm 0.8 mm 0.8 mm
类型 - - - NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE
宽度 - - - 13.3 mm 13.3 mm 8 mm 19.05 mm 8 mm 8 mm
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