Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2C2904A

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2C2904A: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, DIE-2; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小28KB，共1页; 制造商Semicoa; 官网地址http://www.snscorp.com/Semicoa.htm

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2C2904A概述

Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, DIE-2

2C2904A规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	DIE
包装说明	UNCASED CHIP, S-XUUC-N2
针数	2
Reach Compliance Code	unknown
集电极-发射极最大电压	60 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	40
JESD-30 代码	S-XUUC-N2
元件数量	1
端子数量	2
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	SQUARE
封装形式	UNCASED CHIP
极性/信道类型	PNP
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	NO LEAD
端子位置	UPPER
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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Data Sheet No. 2C2904A

Chip Type 2C2904A

Geometry 0600

Polarity PNP

Generic Packaged Parts:

2N2904A

Chip type

2C2904A

by Semicoa

Semiconductors provides perfor-

mance similar to these devices.

Part Numbers:

2N2904A, 2N2904, 2N2906A, 2N2906,

2N2904AUB, SD2904A, SD2904AF, SQ2904A,

SQ2904AF, 2N3485, 2N3485A

Product Summary:

APPLICATIONS:

Designed for gen-

eral purpose switching and amplifier

applications.

Features:

Mechanical Specifications

Metallization

Bonding Pad Size

Die Thickness

Chip Area

Top Surface

Top

Backside

Emitter

Base

Al - 18 kÅ min.

Au - 6.5 kÅ nom.

4.0 mils x 4.0 mils

8 mils nominal

20 mils x 20 mils

Silox Passivated

Electrical Characteristics

= 25 C

Parameter

CEO

CBO

EBO

CBO

Test conditions

= 10.0 mA, I

= 0

= 10 µA, I

= 0

= 10 µA, I

= 0

= 50 V, I

= 0

Min

5.0

---

Max

---

Unit

V dc

= 150 mA dc, V

= 10 V

120

---

Due to limitations of probe testing, only dc parameters are tested. This must be done with pulse width less

than 300 µs, duty cycle less than 2%.

2C2904A相似产品对比

	2C2904A	SD2904A	SD2904AF
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, DIE-2	chip type 2c2904a geometry 0600 polarity pnp	chip type 2c2904a geometry 0600 polarity pnp

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