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2C2222A

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 0.020 X 0.020 INCH, 0.008 INCH HEIGHT, DIE-2
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小28KB,共1页
制造商Semicoa
官网地址http://www.snscorp.com/Semicoa.htm
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2C2222A概述

Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 0.020 X 0.020 INCH, 0.008 INCH HEIGHT, DIE-2

2C2222A规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DIE
包装说明UNCASED CHIP, S-XXUC-N2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码S-XXUC-N2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UNSPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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Data Sheet No. 2C2222A
Chip Type 2C2222A
Geometry 0400
Polarity NPN
Generic Packaged Parts:
2N2219, 2N2219A, 2N2222,
2N2222A
Chip type
2C2222A
by Semicoa
Semiconductors provides perfor-
mance similar to these devices.
Part Numbers:
2N2222A,
2N2222, 2N2219, 2N2219A, 2N2219AL,
2N2222AUB,
SD2222A, SD2222AF, SQ2222A,
SQ2222AF, 2N5582, 2N6989, 2N6990
Product Summary:
APPLICATIONS:
Designed for general
purpose switching and amplifier applica-
tions.
Features:
Medium power ratings
Mechanical Specifications
Metallization
Bonding Pad Size
Die Thickness
Chip Area
Top Surface
Top
Backside
Emitter
Base
Al - 24 kÅ min.
Au - 6.5 kÅ nom.
4.0 mils x 4.0 mils
4.0 mils x 4.0 mils
8 mils nominal
20 mils x 20 mils
Silox Passivated
Electrical Characteristics
T
A
= 25 C
Parameter
BV
CEO
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
o
Test conditions
I
C
= 10 mA, I
B
= 0
I
C
= 10 µA, I
E
= 0
I
E
= 10 µA, I
C
= 0
V
CB
= 50 V, I
E
= 0
Min
40
75
6.0
---
Max
---
---
---
10
Unit
V dc
V dc
V dc
nA dc
h
FE
I
C
= 150 mA dc, V
CE
= 10 V
100
300
---
Due to limitations of probe testing, only dc parameters are tested. This must be done with pulse width less
than 300 µs, duty cycle less than 2%.
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