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RM25C128C-LMAI-T

产品描述IC EEPROM 128KBIT 10MHZ 8DFN
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共31页
制造商Adesto Technologies
标准
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RM25C128C-LMAI-T在线购买

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RM25C128C-LMAI-T概述

IC EEPROM 128KBIT 10MHZ 8DFN

RM25C128C-LMAI-T规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明HVSON, SOLCC8,.12,20
Reach Compliance Codecompliant
最大时钟频率 (fCLK)10 MHz
数据保留时间-最小值10
耐久性10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-N8
长度3 mm
内存密度131072 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量8
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX1
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码HVSON
封装等效代码SOLCC8,.12,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行SERIAL
编程电压3.3 V
座面最大高度0.6 mm
串行总线类型SPI
最大待机电流0.000119 A
最大压摆率0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)1.65 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
宽度2 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
Base Number Matches1
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